KND2803T TO‑252 30V150A N 沟道 MOS管|KIA‑MOS管
信息来源:本站 日期:2026-09-08
KND2803T TO-252 30V150A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
低导通电阻|100% 雪崩测试|BMS / 储能大电流低发热 mos 管原厂现货
KND2803T规格书
| 产品型号 | KND2803T |
|---|---|
| 封装 | TO-252 |
| 通道类型 | N-Channel N沟道 |
| 品牌 | KIA 可易亚半导体 |
| 核心营销亮点 |
先进沟槽工艺,Rds(on)低至2.4mΩ; 超低栅极电荷,抑制CdV/dt效应; 100%UIS雪崩测试,可靠性高; 绿色器件,大电流低损耗。 |
| 客户痛点解决 |
解决大电流工况温升高、导通损耗大; 抑制电压震荡,雪崩抗冲击能力强; TO?252贴片大电流选型,散热优良。 |
| 典型应用领域 |
锂电池BMS保护板、便携储能电源; 电机驱动、电动工具、大电流负载开关。 |
| 平替替代型号清单 |
AOD4185 IRF3205STRLPBF NCE30H15K SM3015PSU |

| 引脚编号 | 引脚功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极(G) |
| 2 | Drain 漏极(D) |
| 3 | Source 源极(S) |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压(VGS=0V) | VDS | 30 | V |
| 栅源电压(VDS=0V) | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流 TC=25℃ | ID | 150 | A |
| 连续漏极电流 TC=100℃ | ID | 95 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 680 | A |
| 总耗散功率 TC=25℃ | PD | 143 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 529 | mJ |
| 结温&存储温度 | TJ,TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.05 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=30V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.0 | 1.8 | 2.5 | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=30A | - | 2.4 | 3.0 | mΩ |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V,ID=15A | - | 3.2 | 4.2 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | VDS=0V,f=1.0MHz | - | 0.65 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=0V,f=1MHz | - | 6000 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=15V,f=1MHz | - | 610 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V,f=1MHz | - | 520 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=15V,VGS=10V | - | 12 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VDS=15V,VGS=10V | - | 26 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=15V,VGS=10V | - | 80 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VDS=15V,VGS=10V | - | 45 | - | ns |
| 总栅极电荷 | Qg | VDS=15V,ID=30A | - | 100 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=15V,ID=30A | - | 10 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=15V,ID=30A | - | 18 | - | nC |
| 体二极管正向电流 | ISD | — | - | - | 150 | A |
| 二极管正向电压 | VSD | ISD=30A,TJ=25℃ | - | - | 1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | Tj=25℃,IF=30A | - | 25 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | Tj=25℃,IF=30A | - | 15 | - | nC |
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KND2803T | TO-252 | KIA |
| 先进沟槽Trench工艺 |
| RDS(on)典型2.4mΩ@VGS=10V |
| 超低栅极电荷,开关损耗低 |
| 绿色环保器件可提供 |
| 优异CdV/dt抑制效果 |
| 100%ΔVds测试 |
| 100%UIS雪崩测试 |
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