KNB42150A TO-263 1500V3A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
压方案温升改善，贴片型 1500V MOS 低损耗
KNB42150A 替代 3N150，TO263 1500V MOS，贴片高压场效应管，KIA 可易亚半导体，高压开关电源 MOS管
KNB42150A TO-263｜3A 1500V N沟道MOS管｜KIA-MOS管
KNB42150A为KIA可易亚高压N沟道功率MOSFET，TO-263贴片封装，适用于适配器、充电器、SMPS待机电源电路。
一、KNB42150A（ TO-263封装）基础产品信息
|
型号全称
|
KNB42150A
|
|
品牌
|
KIA（KMOS Semiconductor可易亚半导体）
|
|
封装形式
|
TO-263（D2PAK）
|
|
管子类型
|
N-CHANNEL N沟道MOSFET
|
|
衍生同参数型号
|
KNF42150A(TO-220F)、KNM42150A(TO-247)、KNL42150A(TO-3PF)
|
|
引脚定义
|
1-Gate栅极｜2-Drain漏极｜3-Source源极
|
二、KNB42150A（ TO-263封装）产品核心特性
|
? 高速开关特性
|
|
? VGS=10V时Rds(on)典型值5.5Ω
|
|
? 支持全绝缘塑封封装版本选型
|
三、KNB42150A（ TO-263封装）典型应用场景
|
?? 电源适配器
|
|
?? 各类充电器
|
|
? SMPS开关电源待机电源线路
|
四、KNB42150A（ TO-263封装）绝对最大额定值（Tc=25℃）
|
参数名称
|
符号
|
TO-263额定值
|
单位
|
|
漏源电压
|
VDSS
|
1500
|
V
|
|
栅源电压
|
VGSS
|
±30
|
V
|
|
连续漏极电流
|
ID
|
3.0
|
A
|
|
VGS=10V脉冲漏极电流
|
IDM
|
12
|
A
|
|
单脉冲雪崩能量(L=30mH)
|
EAS
|
500
|
mJ
|
|
最大耗散功率
|
PD
|
90
|
W
|
|
25℃以上降额系数
|
-
|
0.72
|
W/℃
|
|
焊接温度(10秒)
|
TL
|
300
|
℃
|
|
工作与储存温度范围
|
TJ&TSTG
|
-55 ~ 150
|
℃
|
五、KNB42150A（ TO-263封装）热特性参数（TO-263封装）
|
参数名称
|
符号
|
参数值
|
单位
|
|
结到外壳热阻
|
RθJC
|
1.38
|
℃/W
|
|
结到环境热阻
|
RθJA
|
65
|
℃/W
|
六、KNB42150A（ TO-263封装）电气特性参数（Tj=25℃）
|
参数名称
|
符号
|
测试条件
|
Min
|
Typ
|
Max
|
Unit
|
|
漏源击穿电压
|
BVDSS
|
VGS=0V,ID=1mA
|
1500
|
-
|
-
|
V
|
|
漏源漏电流
|
IDSS
|
VDS=1500V,VGS=0V
|
-
|
-
|
1
|
uA
|
|
高温漏源漏电流
|
IDSS
|
VDS=1200V,Tj=125℃
|
-
|
-
|
500
|
uA
|
|
栅源漏电流
|
IGSS
|
VGS=±30V,VDS=0V
|
-
|
-
|
±100
|
nA
|
|
内置栅极电阻
|
Rg
|
f=1MHz，开路漏极
|
-
|
4.5
|
-
|
Ω
|
|
导通电阻
|
RDS(ON)
|
VGS=10V,ID=1.3A
|
-
|
5.5
|
8.2
|
Ω
|
|
栅极阈值电压
|
VGS(TH)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2.5
|
-
|
4.5
|
V
|
|
正向跨导
|
gfs
|
VDS=15V,ID=3A
|
-
|
3.0
|
-
|
S
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz
|
-
|
1500
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
-
|
30
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
-
|
93
|
-
|
pF
|
|
总栅电荷Qg
|
Qg
|
VDD=750V,ID=3A,VGS=0~10V
|
-
|
35
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷Qgs
|
Qgs
|
-
|
9
|
-
|
nC
|
|
栅漏米勒电荷Qgd
|
Qgd
|
-
|
10
|
-
|
nC
|
|
开通延迟时间
|
td(ON)
|
VDD=750V,ID=3A,RG=4.7Ω,VGS=10V
|
-
|
28
|
-
|
nS
|
|
上升时间tr
|
tr
|
-
|
50
|
-
|
nS
|
|
关断延迟时间
|
td(OFF)
|
-
|
55
|
-
|
nS
|
|
下降时间tf
|
tf
|
-
|
53
|
-
|
nS
|
|
连续源极电流
|
ISD
|
内置体二极管
|
-
|
-
|
3.0
|
A
|
|
脉冲源极电流
|
ISM
|
-
|
-
|
-
|
12
|
A
|
|
体二极管正向电压
|
VSD
|
IS=3.0A,VGS=0V
|
-
|
-
|
1.6
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
VGS=0V,IF=3A,diF/dt=-100A/μs
|
-
|
255
|
-
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
-
|
1.1
|
-
|
uC
|
七、KNB42150A（ TO-263封装）平替替代型号清单（TO-263｜1500V 3A N沟道MOS）
|
可兼容平替型号
|
|
STD3N150
|
|
FQD3N150
|
|
IPA3N150
|
|
AP3N150M
|
|
SPW3N150
|
|
UTC 3N150
|
八、KNB42150A（ TO-263封装）产品营销简介（官网介绍）
|
KNB42150A是KIA半导体1500V高压N沟道MOSFET，TO-263贴片封装。
器件拥有高速开关性能，低导通电阻，降低电源工作温升。
耐压1500V、额定电流3A，适配适配器、充电器、高压开关电源待机方案，
国产现货供应，稳定替代进口1500V贴片高压MOS器件。
|
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
