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KIA KNK75100A TO-264 1000V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-07-29 

KIA KNK75100A TO-264 1000V N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

大电流低内阻 MOS 管,工业焊机 / 高压电源专用,雪崩耐量强

KNK75100A

KNK75100A、KIA MOS 管、TO-264 MOS管、1000V N 沟道 MOS管

KNK75100A TO-264 N沟道MOS管产品参数

KNK75100A ( TO-264封装)产品介绍

KNK75100A是KIA原厂1000V/24A TO-264封装N沟道功率MOS管,采用先进平面工艺,导通内阻仅380mΩ,低栅电荷大幅降低开关损耗,多晶硅栅极结构抗冲击耐用。适配无刷电机驱动、电焊机、高效率开关电源,宽温-55~150℃工作,雪崩耐量高达2500mJ,散热性能优异,原厂现货可试样,可直接替代多款同规格高压功率MOS。

一、KNK75100A ( TO-264封装)产品基础信息

参数项 参数值
产品型号 KNK75100A(75100A)
通道类型 N-CHANNEL N沟道MOSFET
封装形式 TO-264
品牌厂商 KIA KMOS Semiconductor
持续漏极电流(25℃) 24A
漏源耐压Vdss 1000V

二、KNK75100A ( TO-264封装)产品核心特性 Features

1. 先进平面工艺制程
2. Vgs=10V时Rds(on)典型值380mΩ
3. 低栅电荷,最大限度降低开关损耗
4. 坚固多晶硅栅极结构,耐冲击

三、KNK75100A ( TO-264封装)应用领域 Applications

1. BLDC无刷直流电机驱动器
2. 工业电焊机
3. 高效率SMPS开关电源

四、KNK75100A ( TO-264封装)引脚定义 Symbol Pinout

引脚序号 引脚功能
1 Gate 栅极
2 Drain 漏极
3 Source 源极

五、KNK75100A ( TO-264封装)订货信息 Ordering Info

料号 封装 品牌
KNK75100A TO-264 KIA

六、KNK75100A ( TO-264封装)最大额定参数 Absolute Maximum Ratings(Tc=25℃)

参数名称 符号 额定值 单位
漏源击穿电压 Vdss 1000 V
栅源电压 Vgss ±30 V
连续漏极电流(Tc=25℃) Id 24 A
连续漏极电流(Tc=100℃) Id 15 A
脉冲漏极电流(Vgs=10V) Idm 96 A
单脉冲雪崩能量(L=0.5mH) Eas 2500 mJ
二极管反向恢复峰值dv/dt dv/dt 5 V/ns
最大耗散功率(25℃) Pd 650 W
25℃以上降额系数 - 5.44 W/℃
引脚焊接最高温度(10s) Tl 300
封装本体最高温度(10s) Tpak 260
结温/存储温度范围 Tj,Tstg -55 ~ 150

七、KNK75100A ( TO-264封装)热特性 Thermal Characteristics

参数名称 符号 参数值 单位
结到外壳热阻 Rθjc 0.192 ℃/W
结到环境热阻 Rθja 55 ℃/W

八、KNK75100A ( TO-264封装)电气特性 Electrical Characteristics(Tj=25℃)

参数名称 符号 测试条件 Min Typ Max 单位
漏源击穿电压 BvDss Vgs=0V,Id=250uA 1000 - - V
漏源漏电流 Idss Vds=1000V,Vgs=0V - - 5 uA
高温漏源漏电流 Idss Vds=800V,Tc=125℃ - - 125 uA
栅极漏电流 Igss Vgs=±30V,Vds=0V - - ±100 nA
导通内阻 Rds(on) Vgs=10V,Id=12A - 380 450
栅极阈值电压 Vgs(th) Vds=Vgs,Id=250uA 2.5 - 4.5 V
正向跨导 gfs Vds=25V,Id=12A - 18 - S
输入电容 Ciss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 7300 - pF
反向传输电容 Crss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 52 - pF
输出电容 Coss Vds=25V,Vgs=0V,f=1MHz - 552 - pF
总栅电荷 Qg Vdd=500V,Id=12A,Vgs=0~10V - 180 - nC
栅源电荷 Qgs Vdd=500V,Id=12A,Vgs=0~10V - 50 - nC
栅漏电荷 Qgd Vdd=500V,Id=12A,Vgs=0~10V - 60 - nC
开通延迟时间 td(on) Vdd=500V,Vgs=10V,Rg=10Ω,Id=12A - 68 - ns
上升时间 tr Vdd=500V,Vgs=10V,Rg=10Ω,Id=12A - 118 - ns
关断延迟时间 td(off) Vdd=500V,Vgs=10V,Rg=10Ω,Id=12A - 100 - ns
下降时间 tf Vdd=500V,Vgs=10V,Rg=10Ω,Id=12A - 110 - ns
连续源极电流 Isd MOS内置PN体二极管 - - 24 A
脉冲源极电流 Ism MOS内置PN体二极管 - - 96 A
二极管正向压降 Vsd Is=24A,Vgs=0V - - 1.5 V
反向恢复时间 trr Vgs=0V,If=24A,di/dt=100A/us - 900 - nS
反向恢复电荷 Qrr Vgs=0V,If=24A,di/dt=100A/us - 2.0 - uC

九、KNK75100A ( TO-264封装)平替替代型号清单(竖向展示)

KNK75100A

1. FQA24N100 TO-247/TO-264
2. IRFP24N100 TO-247
3. STW24N100 TO-247
4. KIA KNM24N100 TO-264
5. AOT24N100 TO-247
6. W24N100 TO-264 国产平替
7. IPA24N100 TO-247
8. TK24N100 TO-264

十、KNK75100A ( TO-264封装)配套测试说明

1. 包含开关特性、栅电荷、二极管反向恢复、非钳位电感开关4类标准测试电路
2. 提供16组特性曲线图:热阻抗、功率电流曲线、输出转移特性、电容栅电荷曲线等
3. 全温区-55~150℃电性能曲线,覆盖高低温应用场景

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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KNK75100A

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902



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