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18N50现货供应商 KIA18N50 18A/500V KIA18N50 PDF下载 -KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA18N50参数

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。


KIA18N50特征

RDS(on) =0.25? @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力


产品型号:KIA18N50

工作方式:18A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±30V

漏电流连续:18.0*A

脉冲漏极电流:72A

雪崩能量:990mJ

耗散功率:38.2W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:500V

温度系数:0.6V/℃

栅极阈值电压:3.0V

输入电容:2500 PF

输出电容:400 PF

上升时间:190 ns

封装形式:TO-220F、TO-247



KIA18N50(18A 500V
产品编号 KIA18N50/HF
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的。开关性能,在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲
产品特征

RDS(on) =0.25? @ VGS=10V

低栅极电荷(典型的16nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力

适用范围 产品主要适用于高效率开关电源,有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
封装形式 TO-220F、TO-247
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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