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12N65现货供应商 KIA12N65 12A/650V KIA12N65 PDF下载 -KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-02-02 

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KIA12N65参数

KIA12n65hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器


KIA12N65特征

RDS(on)=0.63?@ VGS = 10V

低栅极电荷(典型的52nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力


产品型号:KIA12N65

工作方式:12A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±30V

漏电流连续:12.0*A

脉冲漏极电流:48.0*A

雪崩能量:865mJ

耗散功率:54W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:650V

温度系数:0.7V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1850 PF

输出电容:180 PF

上升时间:90 ns

封装形式:TO-220F



KIA12N65(12A 650V
产品编号 KIA12N65/HF
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 KIA12n65hN沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,基于半桥拓扑结构的有源功率因数校正电子镇流器
产品特征

RDS(on) = 0.63?@ V GS = 10 V

低栅极电荷(典型的52nc)

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

适用范围 适用于高速功率开关,开关电源等
装形式 TO-220F
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF总页数 总5页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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