KNM48150A TO-247 1500V 9A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
1500V 高压 KNM48150A，低栅极电荷降低开关损耗，内置快恢复体二极管，
高压电源优选 mos 管，支持试样
KNM48150A，KNM48150A mos 管
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KNM48150A（ TO-247封装） N沟道mos管 基础信息
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产品型号
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KNM48150A
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品牌
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KIA可易亚半导体
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封装
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TO-247（直插三脚）
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类型
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N-CHANNEL N沟道功率mos管
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KNM48150A（ TO-247封装）引脚定义（TO-247）
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1脚
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Gate 栅极(G)
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2脚
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Drain 漏极(D)
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3脚
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Source 源极(S)
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KNM48150A（ TO-247封装）最大额定参数(Tc=25℃)
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漏源电压 VDSS
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1500V
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栅源电压 VGSS
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±30V
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连续漏极电流 ID
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9A
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脉冲漏极电流 IDM
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36A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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450mJ
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最大功耗 PD(25℃)
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320W
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功耗降额系数
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2.56W/℃
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存储温度范围
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-55℃ ~ +150℃
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KNM48150A（ TO-247封装）电气特性(Tj=25℃)
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导通内阻 RDS(ON)
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典型2.8Ω，最大4Ω(Vgs=10V,Id=5.4A)
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栅极阈值电压VGS(TH)
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2.5V~4.5V
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漏源击穿电压BVDSS
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≥1500V
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输入电容Ciss
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3385pF
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反向传输电容Crss
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54.6pF
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输出电容Coss
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176pF
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总栅极电荷 Qg(10V)
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68nC
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栅源电荷 Qgs
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21nC
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栅漏电荷 Qgd
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25nC
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体二极管反向恢复时间trr
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461ns
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KNM48150A（ TO-247封装）产品核心优势（营销卖点）
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特性亮点
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1.低栅极电荷，有效降低开关损耗
2.内置快恢复体二极管
3.1500V高耐压，抗电压冲击
4.TO-247封装散热性能优异
5.稳定雪崩耐受，高压电源可靠性高
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KNM48150A（ TO-247封装）标准应用场景
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适用领域
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电源适配器、大功率充电器
SMPS待机辅助电源、高压开关电源
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KNM48150A（ TO-247封装）平替替代型号清单（竖排展示，窄屏适配）
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兼容替代料
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KNM62150A（KIA 1500V/11A TO-247）
STW9N150（ST 1500V/8A TO-247）
IXTH12N150（IXYS 1500V/12A TO-247）
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