KPD3203D TO-252 封装 N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KPD3203D 低内阻 MOS管，适合电源开关、锂电池保护电路
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低内阻 MOS管，可易亚 KIA-MOS管
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KPD3203D（ TO-252封装） P沟道mos管 基础信息
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产品型号
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KPD3203D
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品牌
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KIA可易亚半导体
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封装
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TO-252（DPAK贴片）
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器件类型
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P-CHANNEL P沟道功率mos管
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KPD3203D（ TO-252封装）引脚定义（TO-252）
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1脚
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Gate 栅极(G)
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2脚
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Drain 漏极(D)
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3脚
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Source 源极(S)
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KPD3203D（ TO-252封装）最大额定参数
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漏源击穿电压 VD
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-30V
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栅源电压 VGSS
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±20V
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连续漏极电流 ID(Tc=25℃)
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-100A
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连续漏极电流 ID(Tc=100℃)
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-63A
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脉冲漏极电流 IDM
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-300A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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151mJ
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雪崩电流 IAS
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-55A
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最大功耗 PD(Tc=25℃)
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52W
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工作与存储温度范围
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-55℃ ~ +175℃
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KPD3203D（ TO-252封装）热特性参数
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结到环境热阻 RθJA
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62 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC
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2.4 ℃/W
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电气特性(Tj=25℃)
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导通内阻 RDS(ON)
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典型3.7mΩ，最大4.7mΩ(VGS=-10V,Id=-30A)
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栅极阈值电压VGS(TH)
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-1.1V ~ -2.5V，典型-1.7V
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漏源击穿电压BVDSS
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≥-30V
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输入电容Ciss
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6850pF
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反向传输电容Crss
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500pF
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输出电容Coss
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800pF
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总栅极电荷 Qg(-10V)
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120nC
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栅源电荷 Qgs
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10nC
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栅漏电荷 Qgd
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30nC
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体二极管反向恢复时间trr
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34.4ns
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体二极管正向压降 VSD
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最大1.2V
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KPD3203D（ TO-252封装）产品核心营销卖点
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特性优势
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1.超低栅极电荷，开关损耗更低
2.极低Rds(on)，导通发热小
3.100%雪崩能量EAS保证，抗冲击
4.抑制CdV/dt效应，电路稳定性强
5.高密度沟槽工艺，支持绿色环保料
6.TO-252贴片封装，适合自动化贴片
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KPD3203D（ TO-252封装）典型应用领域
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适用场景
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电池保护板、负载开关
DC-DC电源、电动工具
车载供电、快充电源、电机驱动
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KPD3203D（ TO-252封装）平替替代型号清单（竖排展示，窄屏适配）
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兼容替代料
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AOD403
AOS AOD303
IRF7413
SPD30P03LG
KPD3202D（同系列降级选型）
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