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KPD3204B P沟道MOS管｜TO-252封装（KIA可易亚半导体）
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产品型号
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KPD3204B
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器件类型
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P-CHANNEL MOSFET P沟道功率MOS管
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封装规格
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TO-252（DPAK）贴片封装
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品牌
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KIA 可易亚半导体
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KPD3204B（ TO-252封装）绝对最大额定值（TA=25℃）
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漏源击穿电压 VDSS
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-40V
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栅源电压 VGS
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±20V
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连续漏极电流 ID（Tc=25℃）
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-100A
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连续漏极电流 ID（Tc=100℃）
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-77A
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连续漏极电流 ID（TA=25℃）
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-18A
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连续漏极电流 ID（TA=70℃）
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-15A
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脉冲漏极电流 IDM
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-300A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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361mJ
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雪崩电流 IAS
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-85A
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最大耗散功率 PD（Tc=25℃）
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83W
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最大耗散功率 PD（Tc=100℃）
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42W
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最大耗散功率 PD（TA=25℃）
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2.4W
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最大耗散功率 PD（TA=70℃）
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1.7W
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结温/存储温度范围
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-55℃ ~ +175℃
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KPD3204B（ TO-252封装）热特性参数
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结到环境热阻 RθJA
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62 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC
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1.8 ℃/W
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KPD3204B（ TO-252封装）核心电气参数（TJ=25℃）
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栅极阈值电压 VGS(TH)
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-1.2V ~ -2.5V（典型值-1.8V）
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导通电阻 RDS(ON) @VGS=-10V,Id=20A
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典型3.2mΩ，最大3.8mΩ
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导通电阻 RDS(ON) @VGS=-4.5V,Id=20A
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典型4.5mΩ，最大5.6mΩ
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正向跨导 gfs
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典型50S
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栅极内阻 Rg
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典型7Ω，最大14Ω
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零栅压漏极电流 IDSS
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最大1μA（25℃）；5μA（55℃）
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栅体漏电流 IGSS
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±100nA
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KPD3204B（ TO-252封装）电容 & 电荷参数
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输入电容 Ciss
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典型6760pF
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输出电容 Coss
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典型650pF
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反向传输电容 Crss
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典型440pF
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总栅电荷 Qg
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115nC
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栅源电荷 Qgs
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10nC
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栅漏电荷 Qgd
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20nC
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KPD3204B（ TO-252封装）开关时序参数
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开通延迟时间 td(on)
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典型15ns
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上升时间 tr
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典型16ns
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关断延迟时间 td(off)
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典型70ns
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下降时间 tf
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典型30ns
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反向恢复时间 trr
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典型28ns
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反向恢复电荷 Qrr
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典型16nC
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KPD3204B（ TO-252封装）器件固有优势（Features）
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优势1
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超低导通内阻，显著降低导通功耗与发热
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优势2
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超低位栅电荷，支持高频开关电源设计
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优势3
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100%雪崩能量EAS筛选，抗浪涌冲击更强
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优势4
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优异CdV/dt抑制能力，规避电路误导通
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优势5
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高密度沟槽工艺，功率密度更高，稳定性佳
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优势6
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环保无铅物料，支持绿色产品项目使用
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KPD3204B（ TO-252封装）适用应用领域
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应用场景
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锂电池保护板、负载电源开关、DC-DC转换器
电机驱动、便携设备电源、电动工具电源管理
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KPD3204B（ TO-252封装）平替替代型号清单（竖向排列，适配窄网页）
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AOD409
AOD4185
NDP40P100
IRF4905S
SI4435DDY
SPD40P100
FDP047P06
AP40P10S
NTD40P06T4G
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KPD3204B（ TO-252封装）采购选型优势
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交付保障
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KIA原厂现货稳定供应，长期持续料号，无断供风险
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样品支持
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可免费申请样品测试，快速验证方案兼容性
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方案兼容
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TO-252标准封装，可直接兼容多款竞品替换
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品质管控
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全参数电性检测，支持批量可靠性测试报告
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