KPD8106A TO-252 -60V/-30A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
解决设备发热炸管！KPD8106A 低内阻 P 沟道 MOS管，TO-252 现货直供
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KIA 可易亚 MOS管，电源开关 mos管，锂电池保护场效应管
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KPD8106A P沟道MOS管｜TO-252封装（KIA可易亚半导体）
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产品料号
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KPD8106A
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器件类型
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P-CHANNEL MOSFET P沟道功率MOS管
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封装形式
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TO-252（DPAK）贴片封装
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品牌
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KIA KMOS Semiconductor 可易亚半导体
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KPD8106A（ TO-252封装）引脚定义
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引脚1
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Gate（栅极G）
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引脚2
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Drain（漏极D）
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引脚3
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Source（源极S）
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KPD8106A（ TO-252封装）绝对最大额定值（Tc=25℃）
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漏源电压 VDSS
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-60V
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栅源电压 VGS
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±20V
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连续漏极电流 ID(Tc=25℃)
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-30A
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连续漏极电流 ID(Tc=100℃)
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-20A
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脉冲漏极电流 IDM
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-120A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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196mJ
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最大耗散功率 PD(Tc=25℃)
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57W
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工作与存储温度范围
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-55℃ ~ +150℃
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引脚焊接最高温度（5秒）
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300℃
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KPD8106A（ TO-252封装）热特性参数
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结到外壳热阻 RθJC
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2.2 ℃/W
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KPD8106A（ TO-252封装）电气特性参数（Tc=25℃）
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漏源击穿电压 BVDSS
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-60V(最小值)
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零栅压漏极电流 IDSS
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最大-1μA
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栅体漏电流 IGSS
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±100nA
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栅极阈值电压 VGS(TH)
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-1.0V~-2.5V，典型-1.7V
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导通电阻RDS(ON)@VGS=-10V,Id=20A
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典型26mΩ，最大31mΩ
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导通电阻RDS(ON)@VGS=-4.5V,Id=20A
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典型29mΩ，最大35mΩ
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栅极内阻 Rg
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典型6Ω(f=1MHz)
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输入电容 Ciss
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典型3060pF
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输出电容 Coss
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典型180pF
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反向传输电容 Crss
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典型150pF
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总栅电荷 Qg
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典型40nC
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栅源电荷 Qgs
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典型8nC
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栅漏电荷 Qgd
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典型5nC
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开通延迟时间 td(on)
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典型40ns
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上升时间 tr
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典型25ns
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关断延迟时间 td(off)
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典型70ns
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下降时间 tf
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典型6ns
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体二极管反向恢复时间 trr
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典型28ns
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体二极管反向恢复电荷 Qrr
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典型16nC
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体二极管正向压降 VSD
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典型-1.2V
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KPD8106A（ TO-252封装）产品核心特性（Features）
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特性1
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极低导通电阻，降低导通发热损耗
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特性2
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低反向传输电容Crss，适合高频开关
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特性3
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开关速度快，减少开关损耗
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特性4
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100%雪崩能量EAS出厂测试，抗浪涌
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特性5
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优化dv/dt耐受能力，抑制误导通风险
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KPD8106A（ TO-252封装）典型应用领域
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应用场景
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PWM电路、负载电源开关、电源管理模块
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KPD8106A（ TO-252封装）平替替代型号清单
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AOD4184
AOD409
NTD60P06T4G
SI4435DY
AP60P30G
FDD6685
SPD60P06
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KPD8106A（ TO-252封装）选型优势&采购支持
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痛点解决方案
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解决开关发热、浪涌击穿、高频误导通难题
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供货保障
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KIA原厂稳定现货，长期料号，交期可控
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样品支持
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可申请样品测试，快速验证方案兼容性
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封装兼容
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标准TO-252，直插替换多款同类P沟道MOS管
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