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10N80现货供应商 KIA10N80 10A/800V KIA10N80 PDF下载 -KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-02-03 

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KIA10N80参数

功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关。性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑



KIA10N80特点

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低栅极电荷(典型的63nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

ESD能力提高


产品型号:KIA10N80

工作方式:10A/800V

漏源电压:800V

栅源电压:±25V

漏电流连续:10A

脉冲漏极电流:40A

雪崩能量:350mJ

耗散功率:42W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:800V

温度系数:0.8V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:2230 PF

输出电容:135 PF

上升时间:35 ns

封装形式:TO-220F、TO-3P



KIA10N80(10N80
产品编号 KIA10N80/HF/HH
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这先进已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关。性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲
产品特征

RDS(on) =0.85? @ VGS =10V

低栅极电荷(典型的63nc)

高耐用性

快速切换的能力

雪崩能量

改进的dt/dt能力

ESD能力提高

适用范围 主要合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
封装形式 TO-220F、TO-3P
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系电话:0755-83888366-8022

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