KPD7115A TO‑252 -150V‑20A P沟道MOS管｜KIA‑MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-05
KPD7115A TO-252 -150V-20A P沟道MOS管｜KIA-MOS管
150V P 沟道 MOS 管 TO?252｜低 Rds (on)｜100% 雪崩测试｜国产平替
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BLDC 电机驱动 MOS管，国产 P 沟道 MOS管，KIA-MOS管
| 型号 | KPD7115A |
|---|---|
| 类型 | P-CHANNEL MOS管 |
| 封装 | TO-252 |
| 品牌 | KIA |
| VDS | -150V |
| ID连续@25℃ | -20A |
| ID连续@100℃ | -12A |
| 脉冲IDM | -60A |
| 采用高密度沟槽Trench工艺 |
| 低Rds(on)，降低导通损耗 |
| 低栅极电荷，实现高速开关 |
| 低热阻，散热性能优异 |
| 100%雪崩能力测试 |
| 100% DVDS可靠性测试 |
| MB/VGA Vcore供电 |
| SMPS二次侧同步整流 |
| POL负载点电源 |
| BLDC无刷电机驱动 |
| 引脚 | 功能 |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极 |
| 2 | Drain 漏极 |
| 3 | Source 源极 |
| 参数 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDS | -150 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流(25℃) | ID | -20 | A |
| 连续漏极电流(100℃) | ID | -12 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | -60 | A |
| 总耗散功率(25℃) | PD | 104 | W |
| 总耗散功率(100℃) | PD | 42 | W |
| 雪崩能量 | EAS | 30.2 | mJ |
| 雪崩电流 | IAS | -11 | A |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 参数 | 符号 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 20 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.4 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=-250uA | -150 | - | - | V |
| 导通电阻 | RDS(on) | VGS=-10V,ID=-10A | - | 153 | 200 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VGS=VDS,ID=-250uA | -2.0 | - | -4.0 | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=-150V,VGS=0V | - | - | -1 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 输入电容 | Ciss | VDS=-40V,VGS=0V,f=1MHz | - | 2109 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 515 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 410 | - | pF | |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=-50V,VGS=-10V,ID=-3A | - | 30 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 6 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 8.1 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | Td(on) | VDD=-50V,VGS=-10V,RG=3Ω,ID=-3A | - | 28 | - | ns |
| 上升时间 | Tr | - | 30 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | Td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 下降时间 | Tf | - | 120 | - | ns | |
| 连续源极电流 | IS | VG=VD=0V强制电流 | - | - | -20 | A |
| 体二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,IS=-5A,Tj=25℃ | - | - | -1.2 | V |
| 反向恢复时间 | trr | IF=-5A,Tj=25℃,di/dt=100A/μs | - | 34 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 32 | - | nC |
| ---P-CH-150V?20A?TO252-01 |
| ---P-CH-150V?20A?TO252-02 |
| ---P-CH-140V?22A?TO252-03 |
| ---P-CH-160V?18A?TO252-04 |
| ---P-CH-150V?19A?TO252-05 |
| 核心卖点 | 150V P沟道MOS管 TO-252，-20A大电流 |
|---|---|
| 导通优势 | 低Rds(on)，降低整机导通损耗 |
| 开关性能 | 低Qg，适合高频SMPS同步整流 |
| 可靠性 | 100%雪崩&DVDS全检，抗冲击强 |
| 散热能力 | TO?252封装，低热阻，适合大电流 |
| 适用场景 | 电源、POL、BLDC电机驱动方案 |
| 采购优势 | KIA国产替代，交期稳，支持试样 |
| 1)测试条件：1inch2 FR4板，2OZ铜箔 |
| 2)脉冲测试：脉宽≤300us，占空比≤2% |
| 3)EAS为最大额定，测试VDD=-50V L=0.5mH |
| 4)功耗受150℃结温限制 |
| 5)IS理论等同ID，实际受功耗约束 |
联系方式：邹先生
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