KPD7910A TO-252 -100V -28A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KPD7910A TO-252 封装 P 沟道 MOS 管 -100V/-28A 低内阻电源开关管
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KPD7910A P沟道mos管参数表
KPD7910A P-CHANNEL MOSFET（TO-252）
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KPD7910A（ TO-252封装）基础产品信息
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产品型号
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KPD7910A
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通道类型
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P沟道mos管
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封装形式
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TO-252
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品牌
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KIA 可易亚半导体
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标识代号
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7910A
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KPD7910A（ TO-252封装）产品核心特性
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工艺技术
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先进沟槽Trench工艺
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关键优势
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极低导通内阻Rds(on)，优良FOM品质因子
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认证标准
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遵循JEDEC工业标准规范
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KPD7910A（ TO-252封装）典型应用场景
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应用范围
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电机控制驱动、电池管理系统、UPS不间断电源
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KPD7910A（ TO-252封装）引脚定义 TO-252
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Pin 1
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Gate 栅极(G)
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Pin 2
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Drain 漏极(D)
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Pin 3
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Source 源极(S)
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KPD7910A（ TO-252封装）绝对最大额定值（Tc=25℃）
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漏源电压 VDSS
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-100V
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连续漏极电流ID(Tc=25℃)
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-28A
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连续漏极电流ID(Tc=100℃)
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-17A
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脉冲漏极电流 IDP
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-112A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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242mJ
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栅源电压 VGS
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±20V
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耗散功率 PD(Tc=25℃)
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102W
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结温/存储温度范围
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-55℃ ~ 150℃
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焊接温度(10s)
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260℃
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KPD7910A（ TO-252封装）热学参数
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结到环境热阻 RθJA
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62 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC
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1.22 ℃/W
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KPD7910A（ TO-252封装）静态电气参数（TJ=25℃）
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漏源击穿电压 BVDSS
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-100V(VGS=0V,ID=250μA)
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栅极阈值电压 VGS(th)
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-1.5~-2.5V，典型值-2V
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零栅压漏电流 IDSS(Tj=25℃)
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≤-1μA(VDS=-100V,VGS=0V)
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零栅压漏电流 IDSS(Tj=125℃)
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≤-20μA(VDS=-100V,VGS=0V)
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栅极漏电流 IGSS
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≤-100nA(VGS=-20V,VDS=0V)
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导通电阻Rds(on)@VGS=-10V,ID=-10A
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典型60mΩ，最大70mΩ
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导通电阻Rds(on)@VGS=-4.5V,ID=-5A
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典型70mΩ，最大90mΩ
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正向跨导 gfs
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典型25S(VDS=-5V,ID=-10A)
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KPD7910A（ TO-252封装）动态开关参数
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栅极内阻 RG
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20Ω(1MHz)
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输入电容 Ciss
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3800pF(VDS=-25V,1MHz)
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输出电容 Coss
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1200pF(VDS=-25V,1MHz)
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反向传输电容 Crss
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650pF(VDS=-25V,1MHz)
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开通延迟时间 td(on)
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10ns
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上升时间 tr
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25ns
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关断延迟时间 td(off)
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112ns
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下降时间 tf
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75ns
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KPD7910A（ TO-252封装）栅电荷参数(VDS=-50V,ID=-22A,VGS=-10V)
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总栅电荷 Qg
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52nC
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栅源电荷 Qgs
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13nC
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栅漏电荷 Qgd
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10nC
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KPD7910A（ TO-252封装）体二极管参数
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二极管正向电压 VSD(ISD=-10A)
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典型-1.5V
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体二极管持续正向电流 IS
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-28A(Tc=25℃)
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反向恢复时间 trr
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35ns(IF=-10A)
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反向恢复电荷 Qrr
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42nC
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KPD7910A（ TO-252封装）产品营销亮点
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核心优势
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100V P沟道，低内阻，适合电源反向保护、电机驱动
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适用方案
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锂电池BMS、车载电源、直流电机驱动、逆变UPS电路
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KPD7910A（ TO-252封装）平替替代型号清单
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兼容替代型号
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AOD4185
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IRF4905STRLPBF
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SI4905DY
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AP4905GY
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SPD28P10
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