KLM60R065B TO-247 600V50A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS 管
信息来源：本站 日期：2026-08-07
KLM60R065B TO-247 600V50A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS 管
600V 大功率低内阻 MOS 管，100% 雪崩测试，充电桩 / 逆变器专用
KLM60R065B，KIA MOS管，TO-247 mos管，600V50A N 沟道 mos管
| 完整型号 | KLM60R065B |
|---|---|
| 封装形式 | TO-247 |
| 同系列型号 | KLF60R065B TO-220F |
| 产品类型 | N沟道Multi-EPI Super-J mos管 |
| 额定电压/电流 | 600V 50A |
| 品牌厂商 | KIA KMOS Semiconductor可易亚半导体 |
| 1. VGS=10V时导通电阻典型值50mΩ |
| 2. 低栅极电荷，典型Qg仅75nC |
| 3. 超高器件抗冲击鲁棒性 |
| 4. 开关速度快，高频损耗低 |
| 5. 100%雪崩能量冲击出厂测试 |
| 6. 优化dv/dt耐受能力，抗电压尖峰 |
| 引脚序号 | 引脚名称 | 功能说明 |
|---|---|---|
| 1 | Gate | 栅极信号控制脚 |
| 2 | Drain | 漏极功率主回路 |
| 3 | Source | 源极接地回路 |
| 料号 | 封装 | 品牌 |
|---|---|---|
| KLF60R065B | TO-220F | KIA |
| KLM60R065B | TO-247 | KIA |
| 参数名称 | 符号 | TO220F | TO247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDSS | 600 | 600 | V |
| 栅源电压范围 | VGSS | ±30 | ±30 | V |
| 25℃连续漏极电流 | ID | 50 | 50 | A |
| 100℃连续漏极电流 | ID | 27.2 | 27.2 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM | 150 | 150 | A |
| 单次雪崩能量 | EAS | 281 | 281 | mJ |
| 雪崩电流 | IAR | 6.6 | 6.6 | A |
| 重复雪崩能量 | EAR | 3.29 | 3.29 | mJ |
| 二极管恢复峰值dv/dt | dv/dt | 20 | 20 | V/ns |
| MOS管本体dv/dt耐受 | dv/dt | 100 | 100 | V/ns |
| 最大耗散功率 | PD | 48 | 329 | W |
| 功率降额系数 | PD | 0.38 | 2.63 | W/℃ |
| 焊接引脚最高温度 | TL | 260 | 260 | ℃ |
| 结温/存储温度区间 | TJ/TSTG | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | TO220F | TO247 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 2.6 | 0.38 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | RθJA | 62.5 | 40 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 600 | - | - | V |
| 高温击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA,Tj=150℃ | 650 | - | - | V |
| 零栅极漏电流 | IDSS | VDS=600V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 高温漏电流 | IDSS | VDS=480V,Tc=125℃ | - | 2.1 | - | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | - | - | ±100 | uA |
| 导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=25A | - | 50 | 65 | mΩ |
| 栅极开启电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 栅极内阻 | RG | f=1MHz | - | 1.3 | - | Ω |
| 输入电容 | CISS | VGS=0V,VDS=400V,f=1MHz | - | 3200 | - | pF |
| 反向传输电容 | CRSS | VGS=0V,VDS=400V,f=1MHz | - | 5 | - | pF |
| 输出电容 | COSS | VGS=0V,VDS=400V,f=1MHz | - | 80 | - | pF |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=400V,ID=25A,VGS=10V | - | 78 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=400V,ID=25A,VGS=10V | - | 18.5 | - | nC |
| 密勒栅漏电荷 | Qgd | VDS=400V,ID=25A,VGS=10V | - | 36.5 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDS=400V,ID=25A,RG=10Ω,VGS=10V | - | 19 | - | nS |
| 上升时间 | trise | VDS=400V,ID=25A,RG=10Ω,VGS=10V | - | 9 | - | nS |
| 关断延迟时间 | td(off) | VDS=400V,ID=25A,RG=10Ω,VGS=10V | - | 75 | - | nS |
| 下降时间 | tfall | VDS=400V,ID=25A,RG=10Ω,VGS=10V | - | 11 | - | nS |
| 体二极管正向电流 | IS | - | - | - | 50 | A |
| 体二极管脉冲电流 | ISM | - | - | - | 150 | A |
| 二极管正向压降 | VSD | IS=25A,VGS=0V | - | - | 1.2 | V |
| 二极管反向恢复时间 | trr | IS=25A,VDD=400V,di/dt=100A/us | - | 413 | - | nS |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IS=25A,VDD=400V,di/dt=100A/us | - | 7.2 | - | uC |
| FQA50N60 TO-247 mos管 |
| STW50N60 TO-247 mos管 |
| IPA50R600P TO-247 mos管 |
| SPW50N60 TO-247 mos管 |
| W50N60 TO-247 mos管 |
| CSD5060 TO-247 mos管 |
| HY50N60 TO-247 mos管 |
| UTC50N60 TO-247 mos管 |
| FMV50N60 TO-247 mos管 |
| IPP50R600CFD TO-247 mos管 |
| 产品标题 | KLM60R065B TO-247 600V50A N沟道高压mos管 |
|---|---|
| 核心优势1 | TO247大散热封装，329W大功率耐受，散热强 |
| 核心优势2 | 50mΩ低导通内阻，整机发热低，转换效率高 |
| 核心优势3 | 低栅极电荷Qg=78nC，高频开关损耗小 |
| 核心优势4 | 100%雪崩测试，抗电压冲击，设备不易炸管 |
| 核心优势5 | 优化dv/dt性能，适配电感感性负载电路 |
| 适配应用场景 | 工业电源、逆变器、充电桩、大功率适配器 |
| 国产替代价值 | 直替进口50N60 mos管，降低BOM物料成本 |
| 供货保障 | KIA原厂现货批量供应，长交期稳定可控 |
| 目标客户群体 | 电源厂、光伏逆变器、储能、新能源充电桩厂商 |
| 采购推荐理由 | 鲁棒性强，雪崩余量足，批量故障率更低 |
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