KCM3650A TO-247 500V60A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
50mΩ 低内阻抗雪崩 MOS 管，解决电源发热击穿浪涌问题
KCM3650A，KIA-MOS管，TO-247 mos管，500V60A N 沟道 mos管
KCM3650A TO-247 MOS管参数规格表
1. KCM3650A（TO-247封装）型号订购信息 KCX3650A系列
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料号
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封装
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品牌
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KCF3650A
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TO-220F
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KIA
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KCM3650A
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TO-247
|
KIA
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2. KCM3650A（TO-247封装）极限额定参数 KCM3650A TO-247
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参数名称
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符号
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规格值
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单位
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连续漏极电流
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ID
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60
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A
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脉冲漏极电流
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IDM
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180
|
A
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栅源连续电压
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VGS
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±20
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V
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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1280
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mJ
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总耗散功率25℃
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PD
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379
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W
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25℃以上降额系数
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-
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3.03
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W/℃
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工作/存储温区
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TJ,TSTG
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-55~+150
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℃
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引脚焊接最高温度10s
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TL
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260
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℃
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3. KCM3650A（TO-247封装）热特性参数 TO-247封装
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参数名称
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符号
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数值
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单位
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结到环境热阻
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RthJA
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40
|
℃/W
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结到外壳热阻
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RthJC
|
0.33
|
℃/W
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4. KCM3650A（TO-247封装）电气特性参数 KCM3650A
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分类
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参数名称
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符号
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条件
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典型值
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最大值
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单位
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关态特性
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漏源击穿电压
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V(BR)DSS
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VGS=0,ID=250μA
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-
|
-
|
500V
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漏极漏电流
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IDSS
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VDS=500V,VGS=0
|
-
|
1
|
μA
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正向栅源漏电流
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IGSSF
|
VGS=20V,VDS=0
|
-
|
100
|
nA
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反向栅源漏电流
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IGSSR
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VGS=-20V,VDS=0
|
-
|
-100
|
nA
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导通特性
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栅阈值电压
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VGS(th)
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VDS=VGS,ID=250μA
|
3
|
4
|
V
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导通内阻
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RDS(on)
|
VGS=10V,ID=20A
|
50
|
56
|
mΩ
|
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动态电容
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输入电容
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Ciss
|
VDS=25V,VGS=0,1MHz
|
3180
|
-
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
VDS=25V,VGS=0,1MHz
|
4400
|
-
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
VDS=25V,VGS=0,1MHz
|
80
|
-
|
pF
|
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开关时序
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开通延迟时间
|
td(on)
|
VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω
|
52
|
-
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω
|
148
|
-
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω
|
127
|
-
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
VDD=250V,ID=20A,RG=25Ω
|
75
|
-
|
ns
|
|
栅电荷
|
总栅电荷
|
Qg
|
VDS=400V,ID=20A,VGS=10V
|
66
|
-
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
VDS=400V,ID=20A,VGS=10V
|
24
|
-
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
VDS=400V,ID=20A,VGS=10V
|
28
|
-
|
nC
|
|
体二极管
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二极管正向压降
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VSD
|
IS=20A
|
-
|
1.5
|
V
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
dIs/dt=100A/μs
|
992
|
-
|
ns
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5. KCM3650A（TO-247封装）产品核心特性
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1. 高压加固终端，耐压长期稳定不衰减
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2. 标注雪崩能量，抗冲击、抗浪涌能力强
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3. 内置快恢复体二极管，媲美独立快管
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4. 专为桥电路优化二极管安全工作区
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5. 高温环境下IDSS、RDS(on)标准化参数
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6. 绝缘安装孔，减少散热安装配件
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6. KCM3650A（TO-247封装）适用应用场景
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工业高压开关电源、大功率DC-DC转换器
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PWM电机驱动板、桥式逆变电路设备
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充电桩模块、储能变流器、焊机电源
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高频大功率快充、工业变频控制器
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7. 平替替代型号清单（TO-247 500V60A MOS管）
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兼容替代型号
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FHA60N50
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IRFP460
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SPW60N50C3
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STW60N50
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W60N50
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KCM60N50
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IPW60R099C6
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8. KCM3650A（TO-247封装）引脚定义
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引脚序号
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引脚功能
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1
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Gate 栅极
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2
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Drain 漏极
|
|
3
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Source 源极
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
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