NP35P10G-G TO-252-2L -100V-35A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-11
NP35P10G-G TO-252-2L -100V-35A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
替代 AP35P10D/NP35P10G-G，低内阻低损耗 P 沟道 mos 管现货
NP35P10G-G 替代型号，AP35P10D 平替 mos 管，100V35A P 沟道 MOS 管
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 器件类型 | 100V P沟道增强型MOSFET |
| 封装型号 | TO-252-2L（贴片DPAK） |
| 丝印标识 | NP35P10 + 晶圆码+品质码 |
| 包装规格 | 2500PCS/卷 |
| 存储温度范围 | -55℃ ~ +150℃ |
| 环保认证 | RoHS、无铅、HF无卤 |
| 原厂品牌 | Natlinear南麟电子 |
| 规格书版本 | Rev1.2 2022.01.06 |
| 特性条目 | 参数数值 |
|---|---|
| VGS=-10V 典型Rds(on) | 37mΩ，最大46mΩ |
| VGS=-4.5V 典型Rds(on) | 42mΩ，最大52mΩ |
| 电流承载能力 | 高功率、大电流耐受 |
| 产品属性 | 无铅环保、表面贴装器件 |
| 应用分类 | 适用设备 |
|---|---|
| 开关电路 | 各类负载电源开关 |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 极限值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | - | -100 | V |
| 栅源电压 | VGS | - | ±20 | V |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=25℃ | -35 | A |
| 连续漏极电流 | ID | Tc=70℃ | -28 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | - | -140 | A |
| 单管耗散功率 | PD | Tc=25℃ | 105 | W |
| 单管耗散功率 | PD | Tc=70℃ | 67 | W |
| 结温工作范围 | TJ | - | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=-250μA | -100 | - | - | V |
| 零栅压漏电流 | IDSS | VDS=-100V,VGS=0V | - | - | -1 | μA |
| 栅极漏电流 | IGSS | VDS=0V,VGS=±20V | - | - | ±100 | nA |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 栅极阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=-250μA | -1 | -1.7 | -2.5 | V |
| 导通内阻 | Rds(on) | VGS=-10V,ID=-20A | - | 37 | 46 | mΩ |
| 导通内阻 | Rds(on) | VGS=-4.5V,ID=-10A | - | 42 | 52 | mΩ |
| 正向跨导 | gfs | VGS=-5V,ID=-10A | - | 6 | - | S |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | VDS=-50V,VGS=0V,f=1MHz | 1655 | pF |
| 输出电容 | Coss | 187 | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | 11 | pF | |
| 栅极内阻 | Rg | VGS=0V,VDS=0V,f=1MHz | 131 | Ω |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 开通延迟时间 | td(ON) |
VDS=-50V,VGS=-10V RL=2.6Ω,RGEN=3Ω |
11 | ns |
| 开通上升时间 | tr | 25 | ns | |
| 关断延迟时间 | td(OFF) | 56 | ns | |
| 关断下降时间 | tf | 36 | ns | |
| 总栅极电荷 | Qg |
VDS=-50V,VGS=0V ID=-20A,VGS=-10V |
33.5 | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | 8 | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | 4.5 | nC |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,IS=-10A | -0.85 | -1.4 | V |
| 参数名称 | 符号 | 典型值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 结到外壳热阻 | RθJC | 1.2 | ℃/W |
| 尺寸符号 | 公制最小(mm) | 公制最大(mm) | 英制最小(inch) | 英制最大(inch) |
|---|---|---|---|---|
| A | 2.200 | 2.400 | 0.087 | 0.094 |
| A1 | 0.000 | 0.127 | 0.000 | 0.005 |
| B | 1.350 | 1.650 | 0.053 | 0.065 |
| b | 0.500 | 0.700 | 0.020 | 0.028 |
| b1 | 0.700 | 0.900 | 0.028 | 0.035 |
| c | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
| c1 | 0.430 | 0.580 | 0.017 | 0.023 |
| D | 6.350 | 6.650 | 0.250 | 0.262 |
| D1 | 5.200 | 5.400 | 0.205 | 0.213 |
| E | 5.400 | 5.700 | 0.213 | 0.224 |
| e | 2.300(典型) | 0.091(典型) | ||
| e1 | 4.500 | 4.700 | 0.177 | 0.185 |
| L | 9.500 | 9.900 | 0.374 | 0.390 |
| L1 | 2.550 | 2.900 | 0.100 | 0.114 |
| L2 | 1.400 | 1.780 | 0.055 | 0.070 |
| L3 | 0.600 | 0.900 | 0.024 | 0.035 |
| V | 3.800(参考) | 0.150(参考) | ||
| 序号 | 可直接兼容替代型号 | 品牌厂商 |
|---|---|---|
| 1 | KIA35P10A | 可易亚半导体 |
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