WSP35P10 TO-252 -100V -30A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-11
WSP35P10 TO-252 -100V -30A P 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
WSP35P10 平替 MOS 管，低内阻耐雪崩现货可试样
TWSP35P，10O-252 P 沟道 mos管，-100V P 沟道 MOS管，30A 贴片 MOS管
| 项目 | 参数说明 |
|---|---|
| 产品型号 | WSF35P10（市面常误写WSP35P10） |
| 沟道类型 | P-Ch P沟道MOSFET |
| 封装形式 | TO-252贴片封装 |
| 品牌厂商 | WINSOK 微硕半导体 |
| 环保标准 | RoHS绿色器件，100% EAS雪崩能量全检 |
| 核心工艺 | 高密度沟槽Trench工艺 |
| 核心优势 | 低导通内阻、低栅电荷、抑制CdV/dt效应 |
| 耐压BVDDSS | 导通内阻RDSON | 连续电流ID |
|---|---|---|
| -100V | 典型86mΩ，最大103mΩ | -30A |
| 应用领域分类 | 详细使用场景 |
|---|---|
| 高频负载降压同步Buck | 笔记本/一体机/显卡主板供电模块 |
| 网络通信电源 | 交换机、路由器DC-DC电源系统 |
| 通用电子开关 | 设备电源负载开关、快充辅助开关 |
| 引脚 | 功能定义 |
|---|---|
| G | 栅极 Gate |
| D | 漏极 Drain |
| S | 源极 Source |
| 符号 | 参数名称 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| VDS | 漏源击穿电压 | -100 | V |
| VGS | 栅源电压 | ±20 | V |
| ID@25℃ | 25℃连续漏极电流 | -30 | A |
| ID@100℃ | 100℃连续漏极电流 | -14 | A |
| IDM | 脉冲峰值漏极电流 | -75 | A |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 400 | mJ |
| IAS | 雪崩峰值电流 | -40 | A |
| PD@25℃ | 25℃最大耗散功率 | 62 | W |
| TSTG | 存储温度范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| TJ | 工作结温范围 | -55 ~ 150 | ℃ |
| 符号 | 参数名称 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| RθJA | 结到环境热阻 | -- | 55 | ℃/W |
| RθJC | 结到外壳热阻 | -- | 2.0 | ℃/W |
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BVDSS | 漏源击穿电压 | VGS=0V,ID=-250uA | -100 | -- | -- | V |
| △BVDSS/△TJ | 击穿电压温漂系数 | 参考25℃,ID=-1mA | -- | -0.021 | -- | V/℃ |
| RDS(ON) | 导通电阻 | VGS=-10V,ID=-9A | -- | 86 | 103 | mΩ |
| VGS(TH) | 栅极阈值电压 | VDS=VGS,ID=-250uA | -1.2 | -2.0 | -3.0 | V |
| △VGS(TH) | 阈值电压温漂 | -- | -- | 4.08 | -- | mV/℃ |
| IDSS | 漏源漏电流 | VDS=-48V,VGS=0V,25℃ | -- | -- | 1 | uA |
| IDSS@55℃ | 高温漏源漏电流 | VDS=-48V,VGS=0V,55℃ | -- | -- | 5 | uA |
| IGSS | 栅源漏电流 | VGS=±20V,VDS=0V | -- | -- | ±100 | nA |
| gfs | 正向跨导 | VDS=-10V,ID=-10A | -- | 24 | -- | S |
| Qg | 总栅电荷 | VDS=-50V,VGS=-10V,ID=-9A | -- | 39 | 55 | nC |
| Qgs | 栅源电荷 | 同上 | -- | 7 | -- | nC |
| Qgd | 栅漏电荷 | 同上 | -- | 8 | -- | nC |
| Td(on) | 开通延迟时间 | VDD=-30V,VGS=-10V,RD=6Ω | -- | 11 | -- | ns |
| Tr | 上升时间 | ID=-10A,RG=30Ω | -- | 19 | -- | ns |
| Td(off) | 关断延迟时间 | 同上测试条件 | -- | 22 | -- | ns |
| Tf | 下降时间 | 同上测试条件 | -- | 53 | -- | ns |
| Ciss | 输入电容 | VDS=-30V,VGS=0V,f=1MHz | -- | 1780 | 2314 | pF |
| Coss | 输出电容 | 同上 | -- | 120 | -- | pF |
| Crss | 反向传输电容 | 同上 | -- | 68 | -- | pF |
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最小值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | VDS=-25V,L=0.5mH,IAS=-10A | 100 | mJ |
| 符号 | 参数名称 | 测试条件 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| IS | 连续源极二极管电流 | VG=VD=0V，正向强制电流 | -18 | A |
| VSD | 二极管正向压降 | VGS=0V,IS=-1A,TJ=25℃ | -1.2 | V |
| 同参数TO-252 P沟道MOS平替型号 |
|---|
|
KIA35P10AD |
客户核心痛点解决方案：
1、AO35P10原厂交期长、现货紧缺、采购成本高；WSF35P10参数完美兼容，现货稳定供货。
2、电源MOS雪崩易损坏、整机故障率高；本品100%EAS全检，抗冲击可靠性更强。
3、开关损耗大、快充发热严重；低栅电荷+低导通内阻，降低温升提升转换效率。
4、CdV/dt干扰导致电路误触发；工艺优化抑制电压震荡，简化外围防护电路。
主推引流广告语：
用AO35P10，也试试WSF35P10！-100V/-30A TO-252 P沟道MOS平替优选
高密度沟槽工艺，低内阻耐雪崩，快充/网络电源/负载开关通用
原厂批量现货，支持免费试样，RoHS合规适配各类高频Buck电源方案
| 备注序号 | 详细说明内容 |
|---|---|
| Note1 | 测试基板：1平方英寸FR4板，2oz铜箔，测试时长≤10s |
| Note2 | 导通电阻脉冲测试，脉宽≤300us，占空比≤2% |
| Note3 | EAS为最大额定值，测试条件VDS=-25V VGS=-10V L=0.5mH IAS=-40A |
| Note4 | 器件耗散功率上限受150℃最高结温限制 |
| Note5 | EAS最小值100mJ，出厂100%雪崩能量全检保障 |
| Note6 | IS理论值等同ID/IDM，实际应用受总耗散功率约束 |
| 文档声明 | 产品规格未经通知可技术升级变更，批量生产请核对交货规格书 |
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