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KIA2301 SOT-23 -20V-2.8A P 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-08-12 

KIA2301 SOT-23 -20V-2.8A P 沟道 MOS管|KIA-MOS管

2.5V 低压驱动低内阻 KIA2301,SI2301 通用平替贴片 mos管

KIA2301

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KIA2301(SOT-23封装)规格书KIA2301规格书

KIA2301 SOT-23 P沟道MOS管参数表

一、KIA2301(SOT-23封装)产品基础信息

产品型号 KIA2301 封装形式 SOT-23
沟道类型 P-CHANNEL P沟道MOS管 品牌 KIA可易亚半导体
核心卖点 20V耐压/-2.8A电流,低Rds(on),2.5V低压驱动
引脚定义 1-Gate栅极|2-Source源极|3-Drain漏极
关键导通电阻 VGS=4.5V:0.12Ω;VGS=2.5V:0.19Ω

二、KIA2301(SOT-23封装)绝对最大额定值(TJ=150℃)

参数名称 符号 额定值 单位
漏源电压 VDS -20 V
栅源电压 VGS ±8 V
连续漏极电流25℃ ID -2.8 A
连续漏极电流70℃ ID -1.5 A
脉冲漏极电流 IDM -10 A
连续源极二极管电流 IS -1.6 A
功耗25℃ PD 1.25 W
功耗70℃ PD 0.8 W
结温/存储温度范围 TJ,TSTG -55~150
结到环境热阻FR4板 RθJA 100 ℃/W
结到外壳热阻FR4板 RθJC 166 ℃/W

三、KIA2301(SOT-23封装)电气特性参数

参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
漏源击穿电压 V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250μA -20 - - V
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS,ID=-250μA -0.5 - -1.0 V
栅极漏电流 IGSS VGS=±8V,VDS=0V - - ±100 nA
零栅压漏电流 IDSS VDS=-16V,VGS=0V - - -50 nA
导通漏极电流1 ID(on) VDS≤-5V,VGS=4.5V -6 - - A
导通漏极电流2 ID(on) VDS≤-5V,VGS=2.5V -3 - - A
导通电阻1 RDS(on) VGS=4.5V,ID=-2.8A - 0.105 0.12 Ω
导通电阻2 RDS(on) VGS=2.5V,ID=-1.8A - 0.145 0.19 Ω
正向跨导 gfs VDS=-5V,ID=-2.3A - 6.5 - S
二极管正向电压 VSD VGS=0V,IS=-1.6A - -0.8 -1.2 V
总栅电荷 Qg VDS=-6V,VGS=-4.5V
ID=-2.3A
- 5.8 10 nC
栅源电荷 Qgs - 0.85 - nC
栅漏电荷 Qgd - 1.7 - nC
输入电容 Ciss VDS=-6V,VGS=0V
f=1MHz
- 415 - pF
输出电容 Coss - 223 - pF
反向传输电容 Crss - 87 - pF
开通延迟时间 td(on) VDD=-6V,ID=-1.0A
RL=6Ω,RG=6Ω
VGEN=-4.5V
- 13 25 ns
上升时间 tr - 36 60 ns
关断延迟时间 td(off) - 42 70 ns
下降时间 tf - 34 60 ns

四、KIA2301(SOT-23封装)平替替代型号清单

KIA2301

原厂替代型号 国产兼容平替型号 进口通用替代型号
KIA3415 AO2301 SI2301
KIA2301A WPM2301 BSS2301
KIA2301S PMV2301 AO3401
- AP2301 DMG2301
- SP2301 FDV2301

五、KIA2301(SOT-23封装)适用应用领域

设备类别 具体使用场景 产品优势适配点
移动电源/充电宝 锂电充放电保护、负载开关 低压驱动、低内阻损耗小
智能穿戴设备 手环手表电源控制切换 SOT23小体积省PCB空间
小型直流电机 电机PWM调速驱动开关 20V耐压、峰值10A脉冲电流
消费数码主板 电源路径管理、信号切换 2.5V低压栅极适配MCU
锂电储能模组 电池保护板回路开关 宽温-55~150℃稳定工作

联系方式:邹先生

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KIA2301

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