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KPE4403B SOP-8 -30V5A P 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-08-13 

KPE4403B SOP-8 -30V5A P 沟道 MOS管|KIA-MOS管

40mΩ 低内阻 P 沟道 MOS 管,5V 逻辑电平直接驱动

KPE4403B

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产品规格书

KPE4403B产品规格书

KPE4403B P沟道mos管产品参数

一、KPE4403B(SOP-8封装)产品基础营销推广信息

产品型号 KPE4403B 器件类型 P-CHANNEL mos管
品牌 KIA可易亚半导体 封装 SOP-8
核心规格 -5A,-30V 环保标准 无铅、符合RoHS
核心卖点
  • 导通电阻典型40mΩ@VGS=-10V
  • 支持-5V逻辑电平驱动
  • 低内阻、高速开关、低损耗
  • 内置体二极管,负载开关专用
  • 宽温稳定,电源管理适配性强
标准应用场景
  • 负载电源开关、各类开关电路
  • 高速线路驱动器、便携式设备PMIC
  • 电池保护板、笔记本/数码电源管理

二、KPE4403B(SOP-8封装)引脚定义(SOP8封装)

引脚编号 引脚功能
1,2,3 Source源极
4 Gate栅极
5,6,7,8 Drain漏极

三、KPE4403B(SOP-8封装)绝对最大额定值(TA=25℃)

参数名称 符号 额定值 单位
栅源电压 VGS ±20 V
漏源击穿电压 V(BR)DSS -30 V
最大结温 TJ 150
存储温度范围 TSTG -50~150
脉冲漏极电流 IDM -24 A
连续漏极电流25℃ ID -5 A
连续漏极电流70℃ ID -4.8 A
最大耗散功率25℃ PD 1.56 W
最大耗散功率70℃ PD 1.25 W
结到环境热阻 RθJA 80 ℃/W

四、KPE4403B(SOP-8封装)电气特性(TJ=25℃)

参数名称 符号 条件 最小 典型 最大 单位
漏源击穿电压 V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250μA -30 - - V
零栅压漏电流25℃ IDSS VDS=-30V,VGS=0V - - -1 μA
零栅压漏电流125℃ IDSS VDS=-24V,VGS=0V - - -100 μA
栅体漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
栅阈值电压 VGS(TH) VDS=VGS,ID=-250μA -1.2 -1.6 -2.5 V
导通内阻VGS=-10V RDS(ON) VGS=-10V,ID=-4A - 40 50
导通内阻VGS=-4.5V RDS(ON) VGS=-4.5V,ID=-3A - 63 80
输入电容 Ciss VDS=-15V,VGS=0V,f=1MHz - 490 - pF
输出电容 Coss - 68 - pF
反向传输电容 Crss - 45 - pF
总栅电荷 Qg VDS=-15V,ID=-4A,VGS=-10V - 7.9 - nC
栅源电荷 Qgs - 0.6 - nC
栅漏电荷 Qgd - 2.5 - nC
开通延迟时间 td(on) VDD=-15V,ID=-1A,RG=3.3Ω,VGS=-10V - 7 - ns
开通上升时间 tr - 4.5 - ns
关断延迟时间 td(off) - 23 - ns
关断下降时间 tf - 8.4 - ns
体二极管连续电流 ISD TA=25℃ - - -2 A
体二极管正向压降 VSD TJ=25℃,ISD=-4A,VGS=0V -0.88 - -1.2 V

五、KPE4403B(SOP-8封装)平替替代型号清单

KPE4403B

原厂同规格平替 海外对标替代型号
  • KIA4403
  • KPE4403A
  • AO4403
  • WSP4403
  • SI4403DY
  • FDN369
  • PMV44XP

六、KPE4403B(SOP-8封装)产品介绍

产品优势短句 1.30V耐压、5A电流P沟道mos管SOP8封装
2.40mΩ超低导通内阻,降低线路损耗
3.兼容5V逻辑电平,单片机直接驱动
4.高速开关时序,适合高频切换电路
5.全流程无铅生产,满足工业RoHS标准
6.宽温工作区间,数码/工业电源通用
推荐使用行业 笔记本电源、移动电源、电池保护板
工控负载开关、小家电控制板、LED驱动
采购优势 KIA原厂现货,交期稳定,支持批量试样
规格参数对标AO4403,性价比更高

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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KPE4403B

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