KIA2302 SOT-23 20V3A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-13
KIA2302 SOT-23 20V3A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS 管
原厂 KIA2302 低内阻 SOT23 MOS 管 2.5V 低压驱动替代 SI2302
KIA2302、KIA2302 mos管、KIA2302 SOT-23
KIA2302规格书（SOT-23封装）
| 产品型号 | KIA2302 | 封装形式 | SOT-23 |
|---|---|---|---|
| 通道类型 | N-CHANNEL N沟道MOS管 | 额定耐压VDS | 20V |
| 连续漏极电流ID | 3.0A(TA=25℃) | 脉冲漏极电流IDM | 10A |
| 最大耗散功率PD | 1.0W(TA=25℃) | 工作结温范围 | -55℃ ~ 150℃ |
| - VDS=20V,VGS=4.5V,ID=3A：Rds(on)典型45mΩ |
| - VDS=20V,VGS=2.5V,ID=2A：Rds(on)典型55mΩ |
| 引脚Pin | 功能Function | 对应MOS管极 |
|---|---|---|
| 1 | Gate | 栅极G |
| 2 | Source | 源极S |
| 3 | Drain | 漏极D |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 20 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±8 | V |
| 连续漏极电流(Tj=150℃) | ID | 3.0 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 10 | A |
| 连续源极电流(二极管导通) | IS | 1.0 | A |
| 最大耗散功率(TA=25℃) | PD | 1.0 | W |
| 结温/存储温度 | TJ,TSTG | -55~150 | ℃ |
| 结到环境热阻(t≤5s) | RthJA | 156 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=250μA | 20 | - | - | V |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 0.5 | 1.0 | - | V |
| 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±8V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 零栅压漏极电流 | IDSS | VDS=16V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 导通电阻Rds(on) | RDS(on) | VGS=4.5V,ID=3.0A | - | 45 | 50 | mΩ |
| VGS=2.5V,ID=2.0A | - | 55 | 65 | mΩ | ||
| 正向跨导 | gfs | VDS=5V,ID=3.0A | - | 8 | - | S |
| 源漏二极管正向压降 | VSD | VGS=0V,IS=1.0A | - | 1.3 | - | V |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=10V,VGS=4.5V,ID=3A | - | 5.4 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 1.1 | - | nC | |
| 栅漏电荷 | Qgd | - | 0.7 | - | nC | |
| 输入电容 | Ciss | VDS=10V,VGS=0V,f=1MHz | - | 300 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | 120 | - | pF | |
| 反向传输电容 | Crss | - | 85 | - | pF | |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=10V,ID=3A,RG=6Ω,VGEN=4.5V | - | 12 | - | ns |
| 上升时间 | tr | - | 84 | - | ns | |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | 43 | - | ns | |
| 下降时间 | tf | - | 18 | - | ns |
备注a：脉冲测试，脉宽＜300μs，占空比≤2%；备注b：设计保证，不量产测试
| 图号 | 图表名称 | 用途说明 |
|---|---|---|
| Figure1 | Switching Test Circuit | MOS管开关特性标准测试电路 |
| Figure2 | Switching Waveforms | 开关时序波形定义(延时/上升/下降) |
| Figure3 | Power Dissipation | 耗散功率随结温变化曲线 |
| Figure4 | Drain Current | 连续漏极电流随结温衰减曲线 |
| Figure5 | Output Characteristics | ID-VDS输出特性，多VGS对比 |
| Figure6 | Rds(on) vs ID | 导通电阻随漏极电流变化曲线 |
| Figure7 | Transfer Characteristics | ID-VGS转移特性，25℃/125℃对比 |
| Figure8 | Rds(on) vs Tj | 归一化导通电阻随结温变化 |
| Figure9 | Rds(on) vs VGS | 导通电阻随栅压变化，高低温对比 |
| Figure10 | Capacitance vs VDS | Ciss/Coss/Crss极间电容电压曲线 |
| Figure11 | Gate Charge Qg-VGS | 栅电荷充放电电压对应曲线 |
| Figure12 | Source-Drain Diode Forward | 体二极管正向伏安特性曲线 |
| Figure13 | Safe Operation Area SOA | 安全工作区，区分直流/脉冲时长 |
| Figure14 | Transient Thermal Impedance | 瞬态热阻抗，不同占空比脉冲参考 |
| 原厂平替MOS管型号 | 核心匹配参数说明 |
|---|---|
| AO2302 | 20V/3A SOT-23 N沟道，Rds(on)参数对标 |
| WSP2302 | 20V/3A SOT23，低压驱动兼容替代 |
| SI2302 | 通用2302国产通用款，引脚/封装完全兼容 |
| DMG2302U | 低内阻版本，2.5V栅压驱动场景替换 |
| CJ2302 | 长电国产平替，消费类电源通用替代 |
| ZXMN2A03F | 20V N沟SOT23，开关速度对标KIA2302 |
| FDN369 | 20V/3A SOT23，快充/负载开关可互换 |
| 推广维度 | 营销卖点文案（单行≤35字） |
|---|---|
| 产品优势 | KIA原厂2302 SOT-23 N沟道MOS管，20V耐压3A大电流 |
| 低压驱动 | 支持2.5V低压栅极驱动，适配MCU低电压控制电路 |
| 低导通损耗 | VGS4.5V典型45mΩ低Rds(on)，发热小、转换效率高 |
| 高速开关 | 栅电荷Qg仅5.4nC，开关延时短，适合高频负载开关 |
| 宽温稳定 | -55~150℃宽工作温区，高低温内阻漂移可控 |
| 封装适配 | SOT-23小型贴片封装，充电宝/LED/小家电通用 |
| 应用场景 |
? 移动电源、锂电池充放电控制开关 ? LED灯条驱动、小家电电源控制 ? 主板负载开关、USB过流保护电路 ? 蓝牙/无线模块供电通断控制 |
| 供货优势 | KIA半导体原厂现货，批量稳定供货，可替代SI/AO2302 |
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