KIA2300 SOT-23 20V6A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-13
KIA2300 SOT-23 20V6A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
原厂 KIA2300 低内阻 MOS 管，2.5V 低压驱动大电流发热小
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KIA2300规格书（SOT-23封装）
| 产品核心标题 | KIA2300 SOT-23 20V6A N沟道MOS管｜KIA-MOS管 |
|---|---|
| 引流副标题 | KIA原厂KIA2300超低内阻SOT23 MOS管，2.5V低压驱动大电流 |
| KIA2300（SOT-23封装）介绍 |
KIA原厂KIA2300 SOT-23 N沟道mos管，耐压20V持续电流6A， 最低30mΩ导通内阻，支持2.5V低压驱动，开关速度 快、宽温稳定；可平替多款进口2300型号，适配移动电源、 LED驱动、小家电负载开关，原厂现货批量供货。 |
| 产品型号介绍 | KIA2300,KIA2300 mos管,KIA2300 SOT-23,20V6A N沟道mos管,低压大电流SOT23 mos管,低内阻2300场效应管,充电宝mos管,LED驱动mos管,小家电负载开关mos管 |
| 客户痛点解决优势 |
1.低导通内阻，发热小，降低设备温升 2.2.5V低压就能开启，适配低电压主控芯片 3.6A大电流负载，满足大功率充放电场景 4.开关延时短，高速开关损耗低 5.-55~150℃宽温，户外/工业设备稳定 6.SOT-23小封装，节省PCB板空间 |
| 主流应用领域 | 移动电源充放电控制、LED灯条背光驱动、USB负载过流保护开关、小型家电电源通断、便携数码设备电源管理、电池保护板 |
KIA2300（SOT-23封装） 平替替代型号清单
| 同规格可直接替换型号 |
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|---|
| 测试条件 | 最大导通内阻Rds(on) | 参数说明 |
|---|---|---|
| VGS=10V,ID=6.0A,VDS=20V | 30mΩ Max | 高栅压大电流，内阻最低发热最小 |
| VGS=4.5V,ID=3.0A,VDS=20V | 40mΩ Max | 常规5V主控驱动标准工况 |
| VGS=2.5V,ID=2.0A,VDS=20V | 55mΩ Max | 低压3.3V系统可正常驱动开启 |
| 引脚编号Pin | 引脚功能Function | 简易说明 |
|---|---|---|
| 1 | Gate 栅极G | 控制MOS管导通关断信号脚 |
| 2 | Source 源极S | 电流输出端，内置续流二极管阳极 |
| 3 | Drain 漏极D | 电流输入端，负载供电接入脚 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | VDS | 20 | V |
| 栅源耐压 | VGS | ±10 | V |
| 连续漏极电流(Tj=125℃) | ID | 6.0 | A |
| 脉冲峰值漏极电流 | IDM | 20 | A |
| 封装耗散功率(FR4板10s) | PD | 1.25 | W |
| 结到环境热阻 | RthJA | 100 | ℃/W |
| 结温/存储温度区间 | TJ,TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVdss | VGS=0V,ID=250μA | 20 | - | - | V |
| 零栅压漏极漏电流 | IDSS | VDS=16V,VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| 栅体漏电流 | IGSS | VGS=±10V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极开启阈值电压 | VGS(th) | VDS=VGS,ID=250μA | 0.5 | 0.78 | 1.0 | V |
| 导通漏极电流 | ID(on) | VDS=5V,VGS=4.5V | 5 | - | - | A |
| 导通漏极电流 | ID(on) | VGS=10V,ID=6.0A | - | 25 | 30 | A |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V,ID=3.0A | - | 35 | 40 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=2.5V,ID=2.0A | - | 52 | 55 | mΩ |
| 正向跨导 | gfs | VDS=15V,ID=5A | 30 | - | - | S |
| 输入电容Ciss | Ciss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 888 | - | pF |
| 输出电容Coss | Coss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 144 | - | pF |
| 反向传输电容Crss | Crss | VDS=15V,VGS=0V,f=1MHz | - | 115 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | VDD=10V,ID=1A,RL=10Ω,RG=6Ω,VGS=4.5V | - | 31.8 | - | ns |
| 上升时间tr | tr | VDD=10V,ID=1A,RL=10Ω,RG=6Ω,VGS=4.5V | - | 14.5 | - | ns |
| 关断延迟时间td(off) | td(off) | VDD=10V,ID=1A,RL=10Ω,RG=6Ω,VGS=4.5V | - | 50.3 | - | ns |
| 下降时间tf | tf | VDD=10V,ID=1A,RL=10Ω,RG=6Ω,VGS=4.5V | - | 31.9 | - | ns |
| 总栅电荷Qg | Qg | VDS=10V,VGS=4.5V,ID=3.5A | - | 16.8 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | VDS=10V,VGS=4.5V,ID=3.5A | - | 2.5 | - | nC |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | VDS=10V,VGS=4.5V,ID=3.5A | - | 5.4 | - | nC |
| 源漏二极管正向电压 | VSD | VGS=0V,IS=1.25A | - | 0.825 | 1.3 | V |
| 源漏二极管正向电流 | Is | VGS=0V | - | - | 1.25 | A |
| 曲线名称 | 核心规律说明 |
|---|---|
| 输出特性曲线 | VGS电压越高，同VDS下漏极电流ID越大；VGS≥3V可实现满负载大电流输出 |
| 转移特性曲线 | 温度越低开启阈值越高，低温环境也能稳定导通；VGS超过1.5V电流快速拉升 |
| 阈值电压-结温曲线 | 芯片温度越高，栅极开启电压越低，高温更容易导通 |
| 导通内阻-漏极电流曲线 | VGS固定时，电流增大内阻小幅上升；4.5V栅压内阻整体更低更稳定 |
| 导通内阻-栅压曲线 | VGS＞3V后内阻快速下降，VGS超过5V内阻下降幅度变平缓 |
| 导通内阻-温度曲线 | 芯片温度升高，导通电阻线性变大，高温负载损耗小幅增加 |
| 栅电荷曲线 | 总栅电荷16.8nC，栅充放电速度快，适合高频开关电路 |
| 电容-漏源电压曲线 | VDS电压越高，输入/输出/反向电容同步下降，高频开关损耗更低 |
| 源漏二极管正向曲线 | 25℃常温下二极管压降0.825V，温度越高同等电流压降越小 |
| 单脉冲功率曲线 | 脉冲时间越短，芯片可承受瞬时功率越高，短脉冲抗冲击能力强 |
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