KLP60R180BD TO?220 600V20A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
600V 超结 mos 管，低 Rds (on)，雪崩耐量高，适配开关电源 PFC 逆变器
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20A 高压 mos管 ，开关电源 mos管，PFC 功率管，逆变器 mos管
KLP60R180BD规格书
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KLP60R180BD（TO-220封装）产品基础信息
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型号
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KLP60R180BD
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封装
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TO-220
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类型
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N-Channel Multi-EPI Super-J mos管
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品牌
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KIA
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Vdss漏源电压
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600V
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Id连续漏极电流(25℃)
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20A
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Id连续漏极电流(100℃)
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11.8A
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Idm脉冲漏极电流
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55A
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Rds(on)导通电阻(Vgs=10V)
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Typ 160mΩ，Max 190mΩ
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Qg总栅极电荷
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Typ 33.5nC
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Vgs栅源电压
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±30V
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Vgs(th)栅极阈值电压
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3.0V~5.0V
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Pd功耗(25℃)
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36W
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降额系数
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0.29W/℃
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EAS单脉冲雪崩能量
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655mJ
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EAR重复雪崩能量
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1.6mJ
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IAR雪崩电流
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3.9A
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RθJC结壳热阻
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3.5℃/W
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RθJA结环境热阻
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62.5℃/W
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工作存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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引脚定义
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1-Gate；2?Drain；3?Source
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KLP60R180BD（TO-220封装）关键电气参数
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BVdss漏源击穿电压
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Min 600V
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Idss漏源漏电流
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Max 1μA@Vds=600V
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Igss栅源漏电流
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Max ±100μA
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Rg栅极电阻
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Typ 1.3Ω
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Ciss输入电容
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Typ 1300pF
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Crss反向传输电容
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Typ 36pF
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Qgs栅源电荷
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Typ 8.5nC
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Qgd米勒电荷
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Typ 18.3nC
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td(on)开通延迟时间
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Typ 14ns
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tr上升时间
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Typ 10ns
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td(off)关断延迟时间
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Typ 48ns
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tf下降时间
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Typ 6ns
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Vsd体二极管正向电压
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Max 1.2V@Is=8.5A
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trr反向恢复时间
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Typ 119ns
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Qrr反向恢复电荷
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Typ 0.7μC
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二极管dv/dt
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50V/ns
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mos管dv/dt
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100V/ns
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KLP60R180BD（TO-220封装）产品特性Features
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Rds(on)典型160mΩ@Vgs=10V
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低栅极电荷Qg典型33.5nC
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高鲁棒性，超快速开关
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100%雪崩测试，增强dv/dt能力
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KLP60R180BD（TO-220封装）营销推广·应用领域&客户痛点
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解决客户痛点
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开关损耗大，发热严重
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雪崩耐量不足易炸管
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dv/dt抗干扰差，误触发
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高压电源器件选型难
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适用应用场景
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开关电源、AC?DC电源适配器
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光伏辅助电源、工业电源
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充电器、逆变器、LED驱动
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PFC电路、高频变换电路
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产品优势卖点
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Super?J工艺，低导通损耗
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Qg低，高频开关表现优异
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全检雪崩，整机可靠性高
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TO?220散热好，易焊接装配
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KLP60R180BD（TO-220封装）平替替代型号清单
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FQN60180
STW20N60
FDP20N60
SPP20N60C3
KLF60R180BD(TO?220F同芯片不同封装)
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