KLD60R380B TO-252 600V11A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS 管
600V 高压超结 MOS 管，解决电源发热、dv/dt 干扰、雪崩可靠性痛点
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雪崩可靠 MOS管，KIA?MOS管
KLD60R380B规格书
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KLD60R380B（TO-252封装）产品型号
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KLD60R380B
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品牌
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KIA
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封装
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TO-252
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沟道类型
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N-Channel Multi-EPI Super-J MOSFET
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耐压Vdss
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600V
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连续电流Id(25℃)
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11A
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连续电流Id(100℃)
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7A
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脉冲电流Idm
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28.8A
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导通电阻Rds(on)典型
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320mΩ@Vgs=10V,Id=4A
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导通电阻Rds(on)最大
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380mΩ@Vgs=10V,Id=4A
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总栅极电荷Qg典型
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15.5nC
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栅源电压Vgs
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±30V
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雪崩单脉冲能量EAS
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246mJ
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重复雪崩能量EAR
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6.25mJ
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雪崩电流IAR
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11A
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最大耗散功率Pd(25℃)
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87W
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降额系数Pd
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0.7W/℃
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结?壳热阻RθJC
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1.43℃/W
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结?环境热阻RθJA
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62.5℃/W
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开启阈值Vgs(th)
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2.5~4.5V
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输入电容Ciss典型
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918pF
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反向传输电容Crss典型
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18pF
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输出电容Coss典型
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240pF
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体二极管正向最大连续电流Is
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9.6A
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体二极管脉冲正向电流Ism
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28.8A
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体二极管正向电压Vsd
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1.2V@Is=4A,Vgs=0V
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反向恢复时间trr典型
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221ns
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工作&存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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KLD60R380B（TO-252封装）引脚定义
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1-Gate；2?Drain；3-Source
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KLD60R380B（TO-252封装）产品特性
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低导通电阻Rds(on)
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低栅极电荷，开关速度快
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高鲁棒性，100%雪崩测试
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优异dv/dt抗干扰能力
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Super?J多外延高压mos管
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KLD60R380B（TO-252封装）典型应用
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开关电源、适配器、充电器
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LED驱动电源、PFC电源电路
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工业电源、逆变器、DC?DC变换器
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各类高压功率变换电路
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KLD60R380B（TO-252封装）平替替代型号清单
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FQN60380B-TO252
NCE60R380-TO252
FQB60R380-TO252
CS60R380-TO252
SMK60R380-TO252
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KLD60R380B（TO-252封装）产品推广简述
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KIA KLD60R380B TO?252高压N沟道super?j mos管，600V/11A，低栅电荷、开关速度快。
器件经过100%雪崩测试，抗dv/dt能力强，可靠性高。
适合PFC、开关电源、LED驱动、工业电源等高压功率场景。
国产替代进口，现货供应，品质稳定，支持批量与样品申请。
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
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