KIA60R380DS TO‑252 600V N沟道MOS管｜KIA‑MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-20
KIA60R380DS TO-252 600V N沟道MOS管｜KIA-MOS管
600V 高压 MOS管｜低栅荷低损耗 适配开关电源
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KIA60R380DS规格书
| KIA60R380DS TO?252 N沟道MOSFET 11A 600V | |||
| 一、KIA60R380DS（TO-252封装）产品简介 | |||
| 产品型号 | KIA60R380DS | 封装 | TO-252 |
| 产品简述 |
采用KIA超结Super-Junction工艺，降低导通损耗， 开关性能优异，抗雪崩脉冲能力强，适配AC/DC电源变换。 |
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| 二、KIA60R380DS（TO-252封装）产品核心特性 | |||
| 1 | Rds(on)=0.34Ω @VGS=10V | ||
| 2 | 低栅极电荷，典型Qg=33nC | ||
| 3 | 高鲁棒性，快速开关特性 | ||
| 4 | 100%雪崩测试，dv/dt能力提升 | ||
| 三、KIA60R380DS（TO-252封装）引脚定义 TO?252 | |||
| 引脚号 | 功能 | ||
| 1 | Gate 栅极G | ||
| 2 | Drain 漏极D | ||
| 3 | Source 源极S | ||
| 四、KIA60R380DS（TO-252封装）最大绝对额定值(Tc=25℃) | |||
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
| 漏源电压 | Vdss | 600 | V |
| 漏极电流Tc=25℃ | Id | 11* | A |
| 漏极电流Tc=100℃ | Id | 6.7* | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm | 30* | A |
| 栅源电压 | Vgss | ±30 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 132 | mJ |
| 雪崩电流 | Iar | 2.1 | A |
| 重复雪崩能量 | Ear | 65 | mJ |
| 二极管恢复dv/dt | dv/dt | 5.0 | V/ns |
| 耗散功率 | Pd | 125 | W |
| 降额系数＞25℃ | - | 1.0 | W/℃ |
| 工作存储温度 | Tj,Tstg | -55~+150 | ℃ |
| 引脚焊接温度 | Tl | 300 | ℃ |
| *漏极电流受最大结温限制 | |||
| 五、KIA60R380DS（TO-252封装）热学参数 | |||
| 参数名称 | 符号 | 数值 | 单位 |
| 结到壳热阻 | Rθjc | 0.6 | ℃/W |
| 壳到散热片热阻Typ | Rθcs | 1.0 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | Rθja | 62 | ℃/W |
| 六、KIA60R380DS（TO-252封装）电气特性(Tc=25℃) | |||
| 参数名称 | 符号 | 条件 | 典型/最大 |
| 漏源击穿电压 | Bvdss | Vgs=0V,Id=250μA | 600V |
| 零栅压漏极电流 | Idss | Vds=600V,Vgs=0V | 1μA |
| 零栅压漏极电流125℃ | Idss | Vds=480V,Tc=125℃ | 10μA |
| 栅极正向漏电流 | Igss | Vgs=30V,Vds=0V | 100nA |
| 栅极反向漏电流 | Igss | Vgs=-30V,Vds=0V | -100nA |
| 击穿电压温度系数 | △Bvdss/△Tj | Id=250μA | 0.6V/℃ |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250μA | 2.5~4.5V |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=5.5A | 0.34~0.38Ω |
| 正向跨导 | gfs | Vds=40V,Id=5.5A | 16S |
| 输入电容 | Ciss | Vds=25V,Vgs=0V 1MHz | 680pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=25V,Vgs=0V 1MHz | 140pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=25V,Vgs=0V 1MHz | 5pF |
| 七、KIA60R380DS（TO-252封装）开关特性 | |||
| 开启延迟时间 | td(on) | Vdd=400V,Id=5.5A,Rg=20Ω | 26ns |
| 上升时间 | tr | Vdd=400V,Id=5.5A,Rg=20Ω | 60ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=400V,Id=5.5A,Rg=20Ω | 75ns |
| 下降时间 | tf | Vdd=400V,Id=5.5A,Rg=20Ω | 44ns |
| 总栅极电荷 | Qg | Vds=480V,Id=11A,Vgs=10V | 33nC |
| 栅源电荷 | Qgs | Vds=480V,Id=11A,Vgs=10V | 4nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | Vds=480V,Id=11A,Vgs=10V | 4.2nC |
| 八、体二极管参数 | |||
| 连续正向电流 | Is- | 11A | |
| 脉冲正向电流 | Ism | - | 30A |
| 体二极管正向压降 | Vsd | Vgs=0V,Is=11A | 1.5V |
| 反向恢复时间 | trr | Vgs=0V,Is=11A,di/dt=100A/μs | 270ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | Vgs=0V,Is=11A,di/dt=100A/μs | 3.3μC |
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九、KIA60R380DS（TO-252封装）平替替代型号清单
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KLD60R380B FQD11N60C STD11N60M2 SPP11N60C3 NCE60R380K CS11N60 |
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| 十、KIA60R380DS（TO-252封装）产品介绍 | |||
| 核心优势 |
1、超结工艺，导通电阻低，降低整机发热损耗 2、Qg仅33nC，开关速度快，电源转换效率高 3、100%雪崩测试，抗冲击，可靠性强 4、TO?252贴片封装，贴装便捷，适合批量生产 |
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| 解决客户痛点 |
解决电源MOS管发热大、效率低、易炸管问题； 替代进口料，交期稳定，成本可控，支持样品测试。 |
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| 典型应用 |
AC?DC开关电源、适配器、充电器、LED驱动、 工业辅助电源、逆变电源、大功率充电模块。 |
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| 十一、KIA60R380DS（TO-252封装）备注 | |||
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全部参数参考规格书Rev1.0 OCT 2015； 选型前请做整机可靠性验证，替代型号建议电性对比确认。 |
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