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KLF60R280B TO‑220F 600V15A N 沟道 MOS管|KIA‑MOS管

信息来源:本站 日期:2026-08-21 

KLF60R280B TO-220F 600V15A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

600V 超结 mos 管,低 Rds (on) 抗雪崩工业电源优选器件

KLF60R280B

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KLF60R280B规格书

KLF60R280B规格书

KLF60R280B(TO-220F封装)产品基础信息 KLF60R280B(TO-220F)
器件类型 N-hannel Super-J MOSFET
品牌 KIA
封装 TO-220F
Vdss漏源电压 600V
Id连续漏极电流@25℃ 15A
Id连续漏极电流@100℃ 8A
Rds(on)@Vgs=10V 典型240mΩ,最大280mΩ
Qg总栅极电荷 典型19.6nC
Vgs栅源电压 ±30V
Vgs(th)开启阈值电压 2.5V~4.5V
Idm脉冲漏极电流 45A
EAS单脉冲雪崩能量 710mJ
IAR雪崩电流 3.0A
EAR重复雪崩能量 1.11mJ
dv/dt最大耐受 100V/ns
Pd耗散功率@25℃ 30W
RθJC结到壳热阻 4.1℃/W
RθJA结到环境热阻 62.5℃/W
工作存储温度 -55℃ ~ +150℃
Is体二极管正向电流 15A
Vsd体二极管正向电压 最大1.2V
trr反向恢复时间 234ns
Qrr反向恢复电荷 2.2uC
Rg栅极电阻 典型1.1Ω
Ciss输入电容 典型770pF
Coss输出电容 典型20pF
Crss反向传输电容 典型310pF
Qgss栅源电荷 3.5nC
Qgd米勒电荷 9.5nC
KLF60R280B(TO-220F封装)产品核心特点
1.低Rds(on),导通损耗小
2.低栅极电荷,开关速度快
3.高鲁棒性,100%雪崩测试
4.更低栅极电阻,dv/dt性能优异
5.Multi-EPI Super--工艺
KLF60R280B(TO-220F封装)典型应用场景
开关电源、适配器、LED电源
充电桩辅助电源、工业电源
DC?DC变换器、逆变器

KLF60R280B(TO-220F封装)平替替代型号清单

KLF60R280B

FQN15060
FDP15N60
SPA15N60C3
STW15NK60Z
IRF840N(参数参考核对)
KLD60R280B(同料TO-252封装)
KLF60R280B(TO-220F封装)产品营销推广文案
KLF60R280B,600V15A N沟道Super-J mos管。
采用Multi-EPI工艺,低导通电阻、低栅电荷。
100%雪崩测试,抗冲击能力强,dv/dt性能优秀。
TO-220F绝缘封装,散热性能好,装配方便。
适配工业电源、LED驱动、适配器、逆变设备。
国产替代优选,供货稳定,品质对标进口器件。

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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KLF60R280B

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902




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