KLF60R280B TO-252 600V15A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
600V 高压 SJ-MOS 管 低 Qg 高雪崩 TO-252 贴片
KLF60R280B，KLF60R280B MOS管，TO-252 600V mos管，15A600V N 沟道mos管
KLF60R280B规格书
KLF60R280B N沟道Super-J MOS管（TO?252）
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KLF60R280B（TO-252封装）产品基础信息
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产品型号
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KLF60R280B
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封装
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TO-252
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类型
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N-Channel Multi-EPI Super-J MOSFET
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品牌
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KIA
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配套型号
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KLD60R280B(TO?220F)
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KLF60R280B（TO-252封装）产品特性 Features
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1. Rds(on)=240mΩ(typ.)@VGS=10V
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2. 低栅极电荷 Qg(typ.)=19.6nC
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3. 高鲁棒性、开关速度快
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4. 低栅极电阻，100%雪崩测试
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5. 优异 dv/dt 耐受能力
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KLF60R280B（TO-252封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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参数
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符号
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TO-252规格
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漏源电压
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Vdss
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600V
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栅源电压
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Vgss
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±30V
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连续漏极电流(25℃)
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Id
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15A
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连续漏极电流(100℃)
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Id
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8A
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脉冲漏极电流
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Idm
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37.5A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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711mJ
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雪崩电流
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Ir
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3.0A
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重复雪崩能量
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Ear
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1.11mJ
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二极管恢复dv/dt
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dv/dt
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20V/ns
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MOS管dv/dt
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dv/dt
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100V/ns
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耗散功率
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Pd
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111W
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25℃以上降额系数
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Pd
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0.88W/℃
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引脚焊接最高温度
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Tl
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300℃
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工作存储温度
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Tj&Tstg
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-55~150℃
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KLF60R280B（TO-252封装）热特性参数
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参数
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符号
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TO-252规格
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结到外壳热阻
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RθJC
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1.13℃/W
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结到环境热阻
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RθJA
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62.5℃/W
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KLF60R280B（TO-252封装）电气特性(Tc=25℃)
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参数
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符号
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典型值
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最大值
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漏源击穿电压
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BVdss
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600V
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-
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漏源漏电流
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Idss
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-
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1uA
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栅源漏电流
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Igss
|
-
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±100nA
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导通电阻
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Rds(on)
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240mΩ
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280mΩ
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栅极阈值电压
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Vgs(th)
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-
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4.5V
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栅极电阻
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Rg
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1.1Ω
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-
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输入电容
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Ciss
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770pF
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-
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反向传输电容
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Crss
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20pF
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-
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输出电容(时间相关)
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Coss(tr)
|
310pF
|
-
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输出电容(能量相关)
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Coss(er)
|
35pF
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-
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总栅极电荷
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Qg
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19.5nC
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-
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栅源电荷
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Qgs
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3.5nC
|
-
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栅漏米勒电荷
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Qgd
|
9.5nC
|
-
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开通延迟时间
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td(on)
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7.5ns
|
-
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上升时间
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trise
|
6.5ns
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-
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关断延迟时间
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td(off)
|
38ns
|
-
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下降时间
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tfall
|
8.2ns
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-
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体二极管正向电压
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Vsd
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-
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1.2V
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反向恢复时间
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trr
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234ns
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-
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反向恢复电荷
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Qrr
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2.2uC
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-
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KLF60R280B（TO-252封装）引脚定义 TO-252
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Pin1
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Gate 栅极
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Pin2
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Drain 漏极
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Pin3
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Source 源极
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KLF60R280B（TO-252封装）平替替代型号清单
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KLD60R280B
FQN15060
FQD15N60
STD15N60DM2
TK15A60W
SPP15N60C3
NCE1560
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KLF60R280B（TO-252封装）产品营销推广信息
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核心优势
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600V 15A高压Super-J MOS管，低Qg，
雪崩耐量高，抗dv/dt冲击，开关速度快。
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解决客户痛点
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1. 雪崩失效、高压炸管风险；
2. 开关损耗大、发热严重；
3. 二极管反向恢复干扰；
4. 小封装大功率散热压力。
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典型应用领域
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开关电源、AC-DC适配器、LED电源，
工业电源、充电桩辅助电源、逆变器，
大功率充电器、PFC电路。
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选型提示
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TO?252贴片封装，适合贴片自动化生产，
同参数直插版本KLD60R280B(TO-220F)。
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注：全部参数来源于KLF60R280B规格书，测试条件Tc=25℃，实际应用请留设计余量。
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