KLF60R180BD TO-220F 600V20A N 沟道 MOS 管｜KIA-MOS 管
TO-220F 绝缘封装高压 MOS 管，低导通电阻抗雪崩性能稳定
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充电桩MOS管，逆变器M
KLF60R180BD规格书
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KLF60R180BD（TTO-220F封装）产品基础信息 KLF60R180BD（TO-220F封装）
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产品型号
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KLF60R180BD
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同系列型号
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KLP60R180BD（TO-220）
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器件类型
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N沟道Multi-EPI Super-J MOSFET
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封装形式
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TO-220F
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VDSS漏源耐压
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600V
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VGSS栅源电压
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±30V
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ID连续漏极电流(25℃)
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20A
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ID连续漏极电流(100℃)
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11.8A
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IDM脉冲漏极电流
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55A
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RDS(ON)导通电阻
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160mΩ(典型值)@VGS=10V
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VGS(TH)栅极阈值电压
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3.0~5.0V
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PD功耗
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36W
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降额系数
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0.29W/℃
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工作存储温度
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-55℃ ~ +150℃
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KLF60R180BD（TTO-220F封装）热参数
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RθJC结到壳热阻
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3.5℃/W
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RθJA结到环境热阻
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62.5℃/W
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KLF60R180BD（TTO-220F封装）极限雪崩参数
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EAS单脉冲雪崩能量
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655mJ
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IAR雪崩电流
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3.9A
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EAR重复雪崩能量
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1.6mJ
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二极管恢复dv/dt
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50V/ns
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MOSFET dv/dt
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100V/ns
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KLF60R180BD（TTO-220F封装）关键电气参数(Tc=25℃)
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BVDSS@Tj25℃
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600V(VGS=0V,Id=1mA)
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BVDSS@Tj150℃
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650V(VGS=0V,Id=1mA)
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IDSS漏源漏电流
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最大1uA(VDS=600V,VGS=0V)
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IGSS栅极漏电流
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±100uA(VGS=±30V,VDS=0V)
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RG栅极电阻
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1.3Ω@1MHz
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Ciss输入电容
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1300pF(VGS=0V,VDS=400V)
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Coss反向传输电容
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36pF(VGS=0V,VDS=400V)
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Qg总栅电荷
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32.5nC(VDS=400V,Id=8.5A)
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Qgs栅源电荷
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8.5nC(VDS=400V,Id=8.5A)
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Qgd密勒电荷
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18.3nC(VDS=400V,Id=8.5A)
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td(on)开通延迟
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14nS
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trise上升时间
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10nS
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td(off)关断延迟
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48nS
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tfall下降时间
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6nS
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IS体二极管连续电流
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20A
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ISM体二极管脉冲电流
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55A
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VSD体二极管正向电压
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最大1.2V(Is=8.5A,VGS=0V)
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trr反向恢复时间
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119ns
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Qrr反向恢复电荷
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0.7uC
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KLF60R180BD（TTO-220F封装）引脚定义
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Pin1
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Gate栅极
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Pin2
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Drain漏极
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Pin3
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Source源极
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KLF60R180BD（TTO-220F封装）平替替代型号清单
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IPA60R180P7S
IPP60R180CM8XKSA1
FQPF20N60C
VBM16R20S
CMD60R180S6ZD
KLP60R180BD(同型号TO-220版本)
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KLF60R180BD（TO-220F封装）官网介绍
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产品亮点
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典型Rds(on)=160mΩ，栅电荷低至32.5nC
高鲁棒性，超快开关速度，100%雪崩测试
优化dv/dt能力，Multi-EPI超结架构
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客户痛点解决
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高压电源高频损耗大，发热严重
器件抗雪崩弱，整机容易炸机失效
海外料交期长，供货不稳成本偏高
TO-220F绝缘封装省去绝缘垫片装配
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典型应用场景
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高压开关电源、适配器、工业电源
DC-DC变换器、逆变器、HID照明驱动
锂电池大功率充放电、电机驱动板
PFC电路、充电桩辅助电源模块
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采购与服务优势
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KIA国产自研，参数对标进口品牌
TO-220/TO-220F双封装版本可选
支持样品申请，BOM配单技术支持
现货可控，批量交期稳定，性价比优
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