KLF60R090B TO-220F 600V32A N沟道MOS管｜KIA-MOS管
低导通内阻低栅电荷｜100% 雪崩全检，解决电源炸管发热高损耗痛点
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PFC 功率器件，工业逆变 mos管，LED 驱动 mos管，KIA-MOS管
KLF60R090B规格书
KLF60R090B｜TO-220F N-Channel Multi-EPI Super-J mos管
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型号
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KLF60R090B
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封装
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TO-220F
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品牌
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KIA(KMOS Semiconductor)
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类型
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N沟道超级结mos管
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VDSS漏源耐压
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600V
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ID连续漏极电流(Tc=25℃)
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32A
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ID连续漏极电流(Tc=100℃)
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20.2A
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RDS(ON)导通电阻@VGS=10V
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典型80mΩ，最大99mΩ
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总栅极电荷Qg典型值
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52nC
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VGSS栅源电压
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±30V
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脉冲漏极电流IDM
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96A
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单脉冲雪崩能量EAS
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199mJ
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雪崩电流IAR
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5.6A
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重复雪崩能量EAR
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2.6mJ
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MOS管dv/dt耐受
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100V/ns
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二极管恢复dv/dt
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20V/ns
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耗散功率Pd(Tc=25℃)
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43W
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25℃以上降额系数
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0.34 W/℃
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结?壳热阻RθJC
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2.9 ℃/W
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结?环境热阻RθJA
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62.5 ℃/W
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工作存储温度Tj & TSTG
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?55℃ ~ +150℃
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引脚耐焊接温度TL
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260℃(5秒)
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栅极阈值电压VGS(TH)
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2.5V ~ 4.5V
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输入电容Ciss典型
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2280pF
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反向传输电容Crss典型
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60pF
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体二极管正向电压VSD最大
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1.2V
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体二极管反向恢复时间trr
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346ns
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引脚定义
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1-Gate栅极，2-Drain漏极，3-Source源极
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KLF60R090B（TO-220F封装）KLF60R090B（TO-220F封装）产品核心特性
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Rds(on)典型80mΩ@VGS=10V
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低栅极电荷Qg典型52nC，开关速度快
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高鲁棒性，100%雪崩测试筛选
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改良dv/dt抗扰，降低高频振荡风险
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Multi-EPI超级结工艺，高温稳定性强
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KLF60R090B（TO-220F封装）典型应用场景
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大功率开关电源、PFC电源
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工业逆变、储能电源、充电桩电源
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高频适配器、大功率LED驱动电源
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电机驱动，硬开关拓扑电路
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KLF60R090B（TO-220F封装）平替替代型号清单
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STFU32N60M2
FQPF32N60C
IRFI32N60K
FQI32N60F
SP32N60TF
KLM60R090B(同料TO-247)
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KLF60R090B（TO-220F封装）产品营销推广要点
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产品卖点
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产品描述
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低导通内阻
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Rds(on)典型80mΩ，降低导通发热，电源温升更低
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低栅极电荷
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Qg=52nC，开关损耗小，适合高频大功率电源
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高雪崩可靠性
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100%雪崩筛选，EAS达199mJ，抗浪涌抗炸管
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强dv/dt耐受
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改良dv/dt能力，减少高频干扰，降低电路振荡
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国产替代优势
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TO-220F封装，现货充足，缩短项目交期，成本优化
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适配拓扑
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PFC、LLC、反激、硬开关逆变，工业电源优选
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KLF60R090B（TO-220F封装）订购信息
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料号
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封装
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品牌
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KLF60R090B
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TO-220F
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KIA
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KLM60R090B
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TO-247
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KIA
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备注：全部参数来源规格书Rev1.0 Apr.2026；
参数测试条件Tc=25℃，如无特殊标注；实际应用请留足降额余量。
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