KLM60R135BD TO‑247 600V N 沟道 MOS管｜KIA‑MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-25
KLM60R135BD TO-247 600V N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
TO-247 大功率 N 沟道 mos 管 低内阻高耐压电源方案优选器件
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KLM60R135BD规格书
| 产品型号 | KLM60R135BD |
|---|---|
| 封装形式 | TO-247 |
| 器件类型 | N-Channel Multi-EPI Super-J mos管 |
| 品牌 | KIA(KMOS Semiconductor) |
| 核心卖点 |
1.Rds(on)典型110mΩ@VGS=10V 2.低栅极电荷Qg典型46nC，开关速度快 3.高鲁棒性，100%雪崩测试 4.增强dv/dt耐受能力，抗干扰强 5.适合开关电源、逆变器、PFC电路 |
| 典型应用场景 |
开关电源、PFC升压、UPS逆变 工业电源、电机驱动、快充大功率模块 |
| Rds(on)=110mΩ(typ.) @ VGS=10V |
| Low gate charge(typ.) Qg=46nC |
| High ruggedness高抗冲击鲁棒性 |
| Ultra fast switching超高速开关特性 |
| 100% avalanche tested100%雪崩测试 |
| Improved dv/dt capability增强dv/dt耐受 |
| Pin引脚 | Function功能 |
|---|---|
| 1 | Gate栅极(G) |
| 2 | Drain漏极(D) |
| 3 | Source源极(S) |
| Part Number型号 | Package封装 | Brand品牌 |
|---|---|---|
| KLF60R135BD | TO-220F | KIA |
| KLM60R135BD | TO-247 | KIA |
| Parameter参数 | Symbol符号 | TO?247规格 | Unit单位 |
|---|---|---|---|
| Drain-to-Source Voltage漏源电压 | VDSS | 600 | V |
| Gate-to-Source Voltage栅源电压 | VGSS | ±30 | V |
| Continuous Drain Current@Tc=25℃连续漏极电流 | ID | 24 | A |
| Continuous Drain Current@Tc=100℃连续漏极电流 | ID | 15 | A |
| Pulsed Drain Current脉冲漏极电流 | IDM | 72 | A |
| Single Pulse Avalanche Energy单脉冲雪崩能量 | EAS | 455 | mJ |
| Power Dissipation耗散功率 | PD | 192 | W |
| Derating Factor above25℃降额系数 | PD | 1.54 | W/℃ |
| Maximum lead temperature焊接引脚最高温度 | TL | 260 | ℃ |
| Operating-Storage Temperature工作存储温度 | TJ&TSTG | -55 ~ 150 | ℃ |
| Parameter参数 | Symbol符号 | TO?247规格 | Unit单位 |
|---|---|---|---|
| Thermal Resistance,Junction-to-Case结壳热阻 | RθJC | 0.65 | ℃/W |
| Thermal Resistance,Junction-to-Ambient结到环境热阻 | RθJA | 40 | ℃/W |
| Parameter参数 | Symbol | Test Conditions测试条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 600 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=600V,VGS=0V | - | - | 10 | uA |
| 栅源漏电流 | IGSS | VGS=±30V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=10V,ID=12A | - | 110 | 135 | mΩ |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 2.5 | - | 4.5 | V |
| 栅极电阻 | RG | f=1MHz | - | 1.9 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss |
VGS=0V,VDS=100V f=100KHz |
- | 2060 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | - | 100 | - | pF | |
| 输出电容 | Coss | - | 1.2 | - | pF | |
| 总栅极电荷 | Qg |
VDS=400V,ID=12A VGS=10V |
- | 48 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | - | 9 | - | nC | |
| 栅漏密勒电荷 | Qgd | - | 13 | - | nC | |
| 开通延迟时间 | td(ON) |
VDS=400V,ID=12A RG=4.7Ω,VGS=10V |
- | 20 | - | nS |
| 上升时间 | trise | - | 35 | - | nS | |
| 关断延迟时间 | td(OFF) | - | 54 | - | nS | |
| 下降时间 | tfall | - | 12 | - | nS | |
| 体二极管连续正向电流 | IS | — | - | - | 24 | A |
| 体二极管脉冲正向电流 | ISM | — | - | - | 72 | A |
| 体二极管正向压降 | VSD | IS=24A,VGS=0V | - | - | 1.4 | V |
| 反向恢复时间 | trr |
IS=12A,VDS=400V di/dt=130A/μs |
- | 110 | - | ns |
| 反向恢复电荷 | Qrr | - | 0.79 | - | uC |
| 测试项目 |
1.Gate Charge Test Circuit栅极电荷测试 2.Resistive Switching阻性开关测试 3.Unclamped Inductive Switching非钳位感性开关 4.Peak Diode Recovery dv/dt体二极管反向恢复dv/dt测试 |
|---|
| 兼容替代型号 |
|---|
| IPW60R125C6 |
| IPW60R130CFD |
| SP24N60T |
| LSB60R130HF |
| STW24N60M2 |
| IXFX24N60P |
| R6024ENZ |
| 产品优势 |
600V/24A高压超结mos管，TO-247大功率封装 低导通内阻Rds(on)典型110mΩ，降低导通损耗 低栅极总电荷Qg=48nC，实现高速开关，降低开关损耗 100%雪崩能力测试，EAS=455mJ，抗浪涌能力强 优化体二极管反向恢复特性，适合PFC、LLC拓扑 优异dv/dt抗扰，适合工业电源、大功率逆变设备 TO-247封装热阻RθJC=0.65℃/W，散热表现优秀 |
|---|---|
| 适用拓扑 |
PFC升压、LLC谐振变换器、反激、正激 UPS逆变器、大功率快充、工业电机驱动 |
| 使用提醒 |
1.驱动电阻RG建议4.7Ω?10Ω，控制dv/dt 2.高温环境注意降额使用，参考数据手册SOA曲线 3.感性应用务必关注雪崩与体二极管反向恢复参数 |
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