KLF60R065B TO-220F 600V50A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
600V 超结 MOS 管 TO-220F 绝缘封装 低损耗高雪崩国产替代
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KLF60R065B规格书
KLF60R065B N沟道Super-JMOSFET
KLF60R065B（TO-220F封装）｜50A 600V 超结mos管
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产品型号
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KLF60R065B
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封装
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TO-220F
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沟道类型
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N-Channel
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器件工艺
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Multi-EPI Super-J
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漏源耐压 VDSS
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600V
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栅源电压 VGSS
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±30V
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连续漏极电流@25℃
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50A
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连续漏极电流@100℃
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27.2A
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脉冲漏极电流 IDM
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150A
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导通电阻 RDS(on)
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50mΩ(Typ)@VGS=10V
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总栅极电荷 Qg
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75nC(Typ)
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密勒电荷 Qgd
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36.5nC(Typ)
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阈值电压 VGS(TH)
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2.5V ~ 4.5V
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单脉冲雪崩能量 EAS
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281mJ
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雪崩电流 IAR
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6.6A
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重复雪崩能量 EAR
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3.29mJ
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功耗 PD@25℃
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48W
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结壳热阻 RθJC
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2.6℃/W
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结环境热阻 RθJA
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62.5℃/W
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dV/dt 抗扰能力
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100V/ns
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本体二极管 VSD
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1.2V@Is=25A
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反向恢复电荷 Qrr
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7.2uC
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工作温度
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-55℃ ~ +150℃
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引脚定义
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1-Gate，2-Drain，3?Source
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KLF60R065B（TO-220F封装）产品特点
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低Rds(on)，导通损耗低
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低栅极电荷，开关速度快
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100%雪崩测试，抗冲击能力强
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优化dv/dt，降低EMI干扰
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TO-220F绝缘封装，安规散热友好
KLF60R065B（TO-220F封装）典型应用
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PFC功率因数校正电路
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工业开关电源、AC-DC电源
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大功率LED驱动电源
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逆变器、DC-DC功率变换
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电机驱动、高压充电器
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平替替代型号清单
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KLM60R065B(TO-247)
IPW60R065CFD
STW60R065
SPA50N60C3
FQH50N60
H2PR60R065
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KLF60R065B（TO-220F封装）产品营销推广说明
KLF60R065B为KIA 600V50A超结N沟道mos管，TO-220F绝缘封装。
Multi-EPI超结工艺，低导通电阻搭配低栅极电荷，开关损耗小。
100%雪崩可靠性测试，dv/dt性能优化，抑制EMI干扰。
绝缘封装简化整机散热安规设计，适配PFC、工业电源、逆变等场景。
国产替代方案，性能对标进口器件，供货稳定，适合批量量产项目。
联系方式：邹先生
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