KLF60R065B TO-220F 600V50A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
KCM9860A N沟道Super-J MOSFET
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绝缘封装 mos管，PFC 电源 mos管，工业开关电源 mos管，国产替代 mos管
KLKCM9860A规格书
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产品型号
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KCM9860A
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封装
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TO-247F
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沟道类型
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N-Channel
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器件工艺
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Multi-EPI Super-J
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漏源耐压 VDSS
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600V
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栅源电压 VGSS
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±20V
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连续漏极电流@25℃
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47A
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脉冲漏极电流 IDM
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141A
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导通电阻 RDS(on)
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81mΩ@VGS=10V
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阈值电压 VGS(TH)
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3.0V ~ 4.0V
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单脉冲雪崩能量 EAS
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720mJ
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功耗 PD@25℃
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417W
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输入电容 Ciss
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3100pF
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输出电容 Coss
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2410pF
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开通延迟时间 td(on)
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46ns
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上升时间 tr
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120ns
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关断延迟时间 td(off)
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138ns
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下降时间 tf
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118ns
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工作温度-
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55℃ ~ +150℃
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引脚定义
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1-Gate，2-Drain，3?Source
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KLKCM9860A（TO-247F封装）产品特点
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低Rds(on)，导通损耗小
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大电流TO-247F绝缘封装
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高雪崩耐受，抗浪涌冲击强
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开关时序参数优异，适配高频
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绝缘封装，散热安规设计简便
KLKCM9860A（TO-247F封装）典型应用
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PFC功率因数校正电路
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大功率工业开关电源
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储能逆变器、光伏逆变
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大功率充电器、焊机电源
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大功率LED驱动电源
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替代型号清单
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KLM9860A(TO-247)
IPW60R080CFD
STW48N60M2
SPW47N60C3
FQG47N60
H2PJ60R080
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KLKCM9860A（TO-247F封装）产品营销推广说明
KCM9860A为KIA 600V47A超结N沟道mos管，TO-247F绝缘封装。
Multi-EPI超结工艺，低导通电阻，大电流承载能力强。
高雪崩能量，有效解决浪涌冲击损坏器件痛点
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