KIA50N03B TO‑252 30V50A N 沟道 MOS管｜KIA‑MOS管
信息来源：本站 日期：2026-08-27
KIA50N03B TO-252 30V50A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低 Rds (on) 大电流 TO-252 MOS 管 抗雪崩增强 dv/dt
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KIA50N03B规格书
| 项目 | 参数内容 |
|---|---|
| 型号 | KIA50N03B(KIA50N03BD) |
| 封装 | TO-252 |
| 类型 | N-CHANNEL MOSFET N沟道mos管 |
| 工艺 | Advanced trench process 沟槽工艺 |
| 核心特点 | 高密度元胞，极低导通电阻；雪崩参数完整表征 |
| 特性项 | 规格 |
|---|---|
| Rds(on) | 6.5mΩ(typ.)@VGS=10V |
| 栅极电荷 | Low gate charge 低栅极电荷 |
| 反向传输电容 | Low Crss 低Crss |
| 开关性能 | Fast switching 快速开关 |
| 抗干扰 | Improved dv/dt capability 增强dv/dt |
| Pin引脚 | 功能 Function |
|---|---|
| 1 | Gate 栅极G |
| 2 | Drain 漏极D |
| 3 | Source 源极S |
| 料号Part Number | 封装Package | 品牌Brand |
|---|---|---|
| KIA50N03BD | TO-252 | KIA |
| 参数Parameter | 符号Symbol | Value | 单位Units |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | Vdss | 30 | V |
| 漏极电流 Tc=25℃ | Id | 50 | A |
| 漏极电流 Tc=100℃ | Id | 30 | A |
| 脉冲漏极电流 | Idm | 200 | A |
| 栅源电压 | Vgss | ±20 | V |
| 单脉冲雪崩能量 | Eas | 85 | mJ |
| 功耗 Tc=25℃ | Pd | 60 | W |
| 功耗降额系数 | Pd | 0.5 | W/℃ |
| 工作存储温度 | Tj,Tstg | -55 ~ +150 | ℃ |
| 参数Parameter | 符号Symbol | Value | 单位Units |
|---|---|---|---|
| 结到壳热阻 | Rθjc | 1.8 | ℃/W |
| 结到环境热阻 | Rθja | 62 | ℃/W |
| 参数 | 符号 | 测试条件 | Min | Typ | Max | Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | Bvdss | Vgs=0V,Id=250uA | 30 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | Idss | Vds=30V,Vgs=0V | - | - | 1 | uA |
| 栅源漏电流 | Igss | Vgs=±20V,Vds=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | Vgs(th) | Vds=Vgs,Id=250uA | 1 | 1.6 | 3 | V |
| 导通电阻 | Rds(on) | Vgs=10V,Id=15A | - | 6.5 | 9.9 | mΩ |
| 栅极电阻 | Rg | f=1.0MHz | - | 5 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | Vds=30V,Vgs=0V,f=1M | - | 1200 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | Vds=30V,Vgs=0V,f=1M | - | 150 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | Vds=30V,Vgs=0V,f=1M | - | 115 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | Vdd=20V,Vgs=10V,Id=15A,Rg=6Ω | - | 4.6 | - | ns |
| 开通上升时间 | tr | Vdd=20V,Vgs=10V,Id=15A,Rg=6Ω | - | 35 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | Vdd=20V,Vgs=10V,Id=15A,Rg=6Ω | - | 40 | - | ns |
| 关断下降时间 | tf | Vdd=20V,Vgs=10V,Id=15A,Rg=6Ω | - | 16 | - | ns |
| 总栅极电荷Qg | Qg | Vdd=24V,Id=15A,Vgs=10V | - | 25 | - | nC |
| 栅源电荷Qgs | Qgs | Vdd=24V,Id=15A,Vgs=10V | - | 5 | - | nC |
| 栅漏电荷Qgd | Qgd | Vdd=24V,Id=15A,Vgs=10V | - | 5.5 | - | nC |
| 连续源极电流Is | Is | 体二极管 | - | - | 50 | A |
| 脉冲源极电流Ism | Ism | 体二极管脉冲 | - | - | 200 | A |
| 体二极管正向电压 | Vsd | Vgs=0V,Is=15A | - | - | 1.5 | V |
| 反向恢复时间trr | trr | Vgs=0V,Is=15A,di/dt=100A/us | - | 12.5 | - | ns |
| 反向恢复电荷Qrr | Qrr | Vgs=0V,Is=15A,di/dt=100A/us | - | 0.005 | - | uC |
KIA50N03B（TO-252封装）平替替代型号清单
| 兼容平替型号 |
|---|
|
AOD503 AOD403 NCE50N03 HYG50N03 FDD5030 |
| 分类 | 内容 |
|---|---|
| 客户痛点 |
1.大电流应用导通损耗大、器件发热严重 2.开关速度慢，开关损耗高 3.抗dv/dt弱，容易误导通损坏 4.缺少雪崩耐受，浪涌冲击易炸管 |
| 产品解决优势 |
1.低Rds(on) 6.5mΩ，降低发热损耗 2.低栅极电荷Crss，实现高速开关 3.增强dv/dt能力，抑制误导通 4.完整雪崩Eas参数，抗浪涌冲击 |
| 典型应用场景 |
DC?DC转换器、负载开关 电机驱动、锂电池保护板 适配器、车载电源、BMS 大电流低压开关电路 |
| 产品卖点总结 |
KIA50N03BD TO-252 50A30V N沟道mos管 沟槽工艺，大电流低内阻，国产高可靠选型 |
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
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