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KNG3703A TO‑252 30V50A N 沟道 MOS管|KIA‑MOS管

信息来源:本站 日期:2026-08-27 

KNG3703A TO?252 30V50A N 沟道 MOS管|KIA?MOS管

低 Rds (on) 大电流 MOS 管,降低电源发热与开关损耗

KNG3703A

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低内阻 N 沟道 MOS管,同步降压 MOS管,大电流负载开关 MOS管

KNG3703A规格书

KNG3703A规格书

KNG3703A DFN3*3 30V50A N沟道MOS管|KIA?MOS管


KNG3703A DFN3*3 30V 50A N沟道MOS管

料号:KNG3703A|封装:DFN3*3|品牌:KIA SEMICONDUCTORS

产品核心特性 Features

项目 参数说明
Rds(on)典型值 7.5mΩ @VGS=10V
工艺 Advanced trench process 沟槽工艺
设计 高密度元胞,极低导通电阻
雪崩特性 完整雪崩电压、电流参数标定

应用领域 Applications

应用场景
笔记本/UMPC/VGA高频同步降压Buck
网络设备DC-DC电源系统
负载开关 Load Switch

订购信息 Ordering

料号 封装 品牌
KNG3703A DFN3*3 KIA
KNY3703A DFN5*6 KIA

最大额定参数 Maximum Ratings(Ta=25℃)

参数名称 符号 DFN5*6 DFN3*3 单位
漏源电压 VDS 30 30 V
栅源电压 VGS ±20 ±20 V
连续漏极电流 ID 50 50 A
脉冲漏极电流 IDM 200 200 A
最大耗散功率PD TA=25℃ 46 28 W
TA=75℃ 17.9 11.1 W
结温存储温度 TJ/TSTG -55~150 -55~150
结到壳热阻 RθJC 2.71 4.46 ℃/W
结到环境热阻(PCB) RθJA 47 72 ℃/W

电气特性 Electrical Characteristics(Ta=25℃)

参数 符号 测试条件 Min Typ Max Unit
漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250μA 30 - - V
导通电阻Rds(on) RDS(on) VGS=4.5V,ID=25A - 11.5 14
VGS=10V,ID=25A - 7.5 9.0
栅极阈值电压 VGS(th) VDS=VGS,ID=?250μA 1 1.5 3 V
正向跨导 gfs VDS=15V,ID=15A - 12 - S
零栅压漏极电流 IDSS VDS=25V,VGS=0V - - 1 μA
栅源正向漏电流 IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA
总栅极电荷 Qg ID=35A,VDS=15V,VGS=10V - 10 - nC
栅源电荷 Qgs - 3.5 - nC
栅漏米勒电荷 Qgd - 3 - nC
开通延迟时间 td(on) VDD=15V,ID=1A,RG=6Ω RL=15Ω,VGEN=10V - 12 - ns
上升时间 tr - 4 - ns
关断延迟时间 td(off) - 32 - ns
下降时间 tf - 6 - ns
输入电容 Ciss VGS=0V,VDS=15V,f=1MHz - 1300 - pF
输出电容 Coss - 270 - pF
反向传输电容 Crss - 145 - pF

体二极管 Source?drain diode

参数 符号 测试条件 Min Typ Max Unit
二极管正向电压 VSD IS=20A,VGS=0V - 0.87 1.5 V
二极管最大正向电流 IS - - - 20 A

引脚定义 DFN3*3

Pin引脚 功能Function
4 Gate 栅极
5,6,7,8 Drain 漏极
1,2,3 Source 源极

平替替代型号清单

KNG3703A

可直接兼容平替料号
NCE3050K SM3050M AON6400 IRLHR3703 AO4408 FDMS3672


联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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参数、规格书、样品申请

KNG3703A

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

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