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KNY3303B N?CHANNEL MOSFET｜DFN5*6封装
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产品型号
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KNY3303B
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封装
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DFN5*6
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品牌
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KIA
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技术工艺
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TRENCH沟槽工艺
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KNY3303B（DFN5*6封装）绝对最大额定值(Tc=25℃)
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漏源电压 VDSS
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30V
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连续漏极电流Id(Tc=25℃)
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90A
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连续漏极电流Id(Tc=100℃)
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59A
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脉冲漏极电流IDM
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360A
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栅源电压VGS
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±20V
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单脉冲雪崩能量EAS
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342mJ
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耗散功率PD(Tc=25℃)
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68W
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结温&存储温度TJ,TSTG
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-55℃ ~ +150℃
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焊接引脚最高温度TL
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300℃(5s)
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KNY3303B（DFN5*6封装）热参数
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结?壳热阻RθJC
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1.83 ℃/W
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KNY3303B（DFN5*6封装）电气参数(Tc=25℃)
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漏源击穿电压BVdss
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30V(VGS=0V,Id=250uA)
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漏源漏电流Idss
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1uA Max(VDS=30V,VGS=0V)
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栅源正向漏电流Igss
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±100nA Max(VGS=±20V,VDS=0V)
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栅极阈值电压VGS(TH)
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1.2?2.5V(Typ:1.6V)
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导通电阻RDS(on)@VGS=10V,Id=20A
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3.5mΩ Typ,5mΩ Max
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导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V,Id=15A
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5mΩ Max
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输入电容Ciss
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4002pF Typ(VDS=15V,f=1MHz)
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输出电容Coss
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438pF Typ(VDS=15V,f=1MHz)
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反向传输电容Crss
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395pF Typ(VDS=15V,f=1MHz)
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开通延迟时间td(on)
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15ns
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上升时间tr
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19ns
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关断延迟时间td(off)
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42ns
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下降时间tf
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11ns
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总栅极电荷Qg@10V
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70nC Typ(VDS=15V,Id=30A)
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栅源电荷Qgs
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45nC Typ(VDS=15V,Id=30A)
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栅漏电荷Qgd
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12nC Typ(VDS=15V,Id=30A)
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体二极管连续正向电流Is
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120A Max
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体二极管脉冲正向电流IsM
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360A Max
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体二极管正向电压VSD
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1.2V Max(IsD=30A,Tj=25℃)
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反向恢复时间Trr
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48ns Typ(I_F=30A,di/dt=100A/μs)
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反向恢复电荷Qrr
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80nC Typ(I_F=30A,di/dt=100A/μs)
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KNY3303B（DFN5*6封装）引脚定义 DFN5*6
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4脚
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Gate栅极
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5,6,7,8脚
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Drain漏极
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1,2,3脚
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Source源极
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KNY3303B（DFN5*6封装）产品特性
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极低RDS(on)导通电阻，降低导通损耗
低Crss，优异开关速度
快速开关性能
100%雪崩测试，抗冲击能力强
增强dv/dt耐受能力
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KNY3303B（DFN5*6封装）典型应用领域
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PWM电源应用
负载开关
电源管理模块
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KNY3303B（DFN5*6封装）平替替代型号清单
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NCE6090K
AOQ3303
WSD3090DN
AP3303
FDMS86102
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官网产品营销推广文案
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KNY3303B为DFN5*6封装N沟道mos管，30V/90A大电流规格。
采用TRENCH沟槽工艺，导通电阻低，减少发热损耗。
经过100%雪崩测试，dv/dt抗扰性能优秀，开关速度快。
适合PWM电源、负载开关、电源管理等高密度电源方案。
小封装承载大电流，助力设备小型化，可直接替代进口器件，供货稳定，有效控制BOM成本。
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