KNY3303A DFN5*6 封装 30V90A N 沟道 mos管｜KIA-MOS管
低内阻高雪崩 DFN5*6 mos 管 大电流电源方案国产平替
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KNY3303A规格书
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产品型号
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KNY3303A
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封装
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DFN5*6
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沟道类型
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N?CHANNEL MOSFET
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Vdss漏源电压
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30V
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Id连续漏极电流(Tc=25℃)
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90A
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Id连续漏极电流(Tc=100℃)
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57A
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Idp脉冲漏极电流(Tc=25℃)
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360A
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Vgss栅源电压
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±20V
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Rds(on)导通电阻@Vgs=10V
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3.1mΩ(典型)
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Rds(on)导通电阻@Vgs=4.5V,Id=12A
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4.5mΩ(典型)，最大8mΩ
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Ias雪崩电流
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50A
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Eas雪崩能量
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125mJ
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Pd最大耗散功率(Tc=25℃)
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69W
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功率降额系数
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0.55W/℃
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Tj工作结温范围
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-55℃ ~ 150℃
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RθJA结到环境热阻
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62℃/W
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RθJC结到外壳热阻
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1.81℃/W
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Vgs(th)栅极阈值电压
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1.2V~2.5V，典型1.6V
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Igss栅极漏电流
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±100nA(Max)
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Idss零栅压漏极电流
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1μA@Vds=30V；10μA@125℃
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gfs正向跨导
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15.5S(典型)
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Qg总栅极电荷
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24nC
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Qgs栅源电荷
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4.2nC
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Qgd栅漏电荷
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13nC
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Ciss输入电容
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3070pF
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Coss输出电容
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400pF
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Crss反向传输电容
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315pF
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td(on)开通延迟时间
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12.6nS
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tr上升时间
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19.5nS
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td(off)关断延迟时间
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42.8nS
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tf下降时间
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13.2nS
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Vsd体二极管正向电压
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1V
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核心产品特性
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低导通电阻，开关速度快，dv/dt性能优异，支持雪崩耐受，绿色器件可选
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典型应用场景
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高效率开关电源、半桥拓扑PFC功率因数校正、大电流DC?DC、锂电池电源、电机驱动
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平替替代型号清单KNY3303A（DFN5*6封装）
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KNG3303A(DFN3*3)
AON6403
AOD603
NCE6030K
SM4303
IRL5103
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产品KNY3303A（DFN5*6封装）
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KNY3303A DFN5*6 30V90A N沟道mos管，采用平面条纹DMOS工艺。极低导通内阻，大电流承载，开关性能优秀，具备高雪崩耐受能力。DFN5*6贴片封装，节省PCB布板空间，适合高密度电源方案。广泛用于开关电源、PFC、锂电保护、电机驱动，国产pin?pin兼容替代，交期稳定，降低BOM成本。
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