KND3303C TO-252 封装 30V90A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
TO-252 贴片 N 沟道 MOS 管，低内阻大电流，电源负载开关优选器件
KND3303C，KND3303C TO?252，30V90A N 沟道 mos管，TO-252 贴片 mos管，
国产大电流 mos管，电源负载开关 mos管，锂电池保护板 mos管
KND3303C规格书
30V 90A｜极低导通内阻｜高速开关｜100%雪崩测试
|
产品型号
|
KND3303C
|
|
封装
|
TO-252
|
|
沟道类型
|
N-CHANNEL N沟道MOS管
|
|
Vdss漏源电压
|
30V
|
|
Id连续漏极电流(25℃)
|
90A
|
|
Id连续漏极电流(100℃)
|
59A
|
|
Idm脉冲漏极电流
|
400A
|
|
Vgs栅源电压
|
±20V
|
|
Rds(on)@Vgs=10V,Id=20A
|
Typ 3.2mΩ Max 4.0mΩ
|
|
Rds(on)@Vgs=4.5V,Id=15A
|
Typ 4.5mΩ Max 5.6mΩ
|
|
Vgs(th)栅极阈值电压
|
1.0V-2.2V
|
|
EAS单脉冲雪崩能量
|
289mJ
|
|
Pd耗散功率(Tc=25℃)
|
70W
|
|
Rθjc结到壳热阻
|
1.78℃/W
|
|
Tj,Tstg结温存储温度
|
-55℃ ~ +150℃
|
|
T_L焊接引脚最高温度
|
300℃(5s)
|
|
Ciss输入电容
|
Typ 3280pF
|
|
Coss输出电容
|
Typ 360pF
|
|
Crss反向传输电容
|
Typ 320pF
|
|
Qg总栅极电荷@10V
|
Typ 60nC
|
|
Qgs栅源电荷
|
Typ 28nC
|
|
Qgd栅漏电荷
|
Typ 3nC
|
|
trr反向恢复时间
|
Typ 20ns
|
|
Vsd体二极管正向电压
|
Typ 1.2V
|
|
td(on)开通延迟时间
|
Typ 10ns
|
|
tr上升时间
|
Typ 100ns
|
|
td(off)关断延迟时间
|
Typ 54ns
|
|
tf下降时间
|
Typ 98ns
|
|
产品特性
|
极低Rds(on)，低Crss，高速开关
100%雪崩测试，优异dv/dt耐受
|
|
典型应用
|
PWM电路，负载开关，电源管理
|
|
平替替代型号清单
|
KNG3303C(DFN3*3)
KNY3303C(DFN5*6)
AOD4184
AOD4186
NCE60H10
IRFR3704Z
SM4044
WSD3080
|
KND3303C TO-252｜产品介绍
KND3303C为TO?252封装N沟道MOS管，30V 90A规格，导通内阻极低。
器件经过100%雪崩测试，具备优秀dv/dt抗扰能力，开关速度快。
解决电源方案大电流发热、雪崩失效、开关损耗高等客户痛点。
适配PWM控制、负载开关、各类电源管理国产替代场景。
国产KIA半导体，供货稳定，支持批量选型与样品申请。
联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
申请样品、下载规格书、在线询价
参数、规格书、样品申请
QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
