KCY3303S DFN5*6 封装 30V95A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
DFN5×6 大电流 mos 管，低内阻高雪崩，电源方案优选器件
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工业电源 mos管，国产 KIA-MOS管，DC-DC 转换器 mos管
KCY3303S规格书
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KCY3303S（DFN5*6封装） N-CHANNEL MOSFET｜DFN5*6封装
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型号
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KCY3303S
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封装
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DFN5*6
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沟道类型
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N沟道MOS管
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漏源电压Vds
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30V
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连续漏极电流Id(25℃)
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95A
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连续漏极电流Id(100℃)
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76A
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脉冲漏极电流Idm
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280A
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栅源电压Vgs
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±20V
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Rds(on)典型值@Vgs=10V
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2.2mΩ
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单脉冲雪崩能量EAS
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151mJ
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雪崩电流Ias
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55A
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总耗散功率Pd(25℃)
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48W
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结温存储温度范围
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?55℃ ~ +150℃
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结到环境热阻RθJA
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50 ℃/W
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结到外壳热阻RθJC
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2.6 ℃/W
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栅极阈值电压Vgs(th)
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1.2~2.5V(Typ1.6V)
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总栅极电荷Qg(4.5V)
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20nC
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输入电容Ciss
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3030pF
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输出电容Coss
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1580pF
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反向传输电容Crss
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205pF
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二极管正向电压Vsd
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1.4V
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KCY3303S（DFN5*6封装）产品特性
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特性列表
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●先进沟槽工艺
●低栅极电荷
●大电流能力
●RoHS无卤素合规
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KCY3303S（DFN5*6封装）典型应用领域
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应用场景
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●台式计算机电源管理
●DC/DC转换器
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KCY3303S（DFN5*6封装）平替替代型号清单
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可兼容替代
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KNY3303B
KCY3503S
IRL3803S
NCEP3095S
SMF3095
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KCY3303S（DFN5*6封装）官网产品介绍
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营销简述
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KCY3303S DFN5*6 N沟道MOS管，30V95A大电流，
超低2.2mΩ导通内阻，低栅极电荷，开关损耗低。
DFN5*6贴片封装节省PCB空间，雪崩耐量优秀，
适配台式机电源、DC?DC转换器，可申请样品测试。
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
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