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N?CHANNEL MOSFET 产品简介
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KIA50N03B（TO-263封装型号
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KIA2803A（KIA2803AB TO-263 / KIA2803AP TO?220）
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KIA50N03B（TO-263封装产品描述
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沟槽工艺实现极低导通电阻，结温150℃，开关速度快，
可重复雪崩，适用于电机驱动等各类电源应用。无铅RoHS合规。
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KND2803A（ TO-252封装）核心特性
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Rds(on)典型2.2mΩ@VGS=10V；低导通内阻；开关速度快；
100%雪崩测试；支持重复雪崩；无铅RoHS兼容
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订购信息 Ordering Information
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Part Number
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Package
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Brand
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KIA2803AB
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TO-263
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KIA
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KIA2803AP
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TO-220
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KIA
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最大绝对额定值 Absolute maximum ratings(Tc=25℃)
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KIA50N03B（TO-263封装）参数
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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VDSS
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30
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V
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栅源电压
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VGSS
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±20
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V
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连续漏极电流@VGS=10V,Tc=25℃
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ID
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150
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A
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脉冲漏极电流 Tc=25℃
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IDM
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600
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A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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625
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mJ
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最大耗散功率 Tc=25℃
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PD
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160
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W
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最大结温
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TJ
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150
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℃
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存储温度范围
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TSTG
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-50~+150
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℃
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二极管连续正向电流 Tc=25℃
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IS
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150
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A
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热特性 Thermal characteristics
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KIA50N03B（TO-263封装参数
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符号
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额定值
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单位
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结到壳热阻
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RθJC
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0.8
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℃/W
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电气特性 Electrical characteristics(Tc=25℃)
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KIA50N03B（TO-263封装）
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符号
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条件
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Min/Typ/Max?Unit
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漏源击穿电压
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BVDSS
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VGS=0V,ID=250μA
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30V
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漏源漏电流
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IDSS
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VDS=24V,VGS=0V
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Max 1μA
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漏源漏电流@125℃
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IDSS
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VDS=24V,VGS=0V,Tc=125℃
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Max 100μA
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栅源漏电流
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IGSS
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VGS=20V,VDS=0V
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Max 100nA
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栅源漏电流
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IGSS
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VGS=-20V,VDS=0V
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Max-100nA
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栅极阈值电压
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VGS(th)
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VDS=VGS,ID=250μA
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0.8?1.3?2.0 V
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导通电阻
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RDS(on)
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VGS=10V,ID=40A
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Typ2.2 Max3.0 mΩ
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导通电阻
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RDS(on)
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VGS=4.5V,ID=40A
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Typ2.8 Max4.0 mΩ
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输入电容
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Ciss
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VDS=15V,VGS=0V,f=1.0MHz
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Typ5350 pF
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输出电容
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Coss
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Typ715 pF
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反向传输电容
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Crss
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Typ605 pF
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总栅极电荷
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Qg
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VDS=15V,ID=20A,VGS=4.5V
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Typ110 nC
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栅源电荷
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Qgs
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Typ35 nC
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栅漏米勒电荷
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Qgd
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Typ14 nC
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开通延迟时间
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Td(ON)
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VDD=15V,ID=10A,VGS=4.5V,RG=6.8Ω
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Typ19 nS
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上升时间
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trise
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Typ50 nS
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关断延迟时间
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Td(OFF)
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Typ20 nS
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下降时间
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tfall
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Typ26 nS
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体二极管正向电压
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VSD
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VGS=0V,ISD=20A
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Max1.3 V
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反向恢复时间
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trr
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ISD=30A,di/dt=100A/μs,VGS=0V,Tj=25℃
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Typ32 ns
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反向恢复电荷
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Qrr
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Typ33 nC
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引脚定义 Pin configuration
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KIA50N03B（TO-263封装）引脚
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功能
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1
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Gate 栅极
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2
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Drain 漏极
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3
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Source 源极
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平替替代型号清单
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IRL3803S
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NCEP3015
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AOD2803
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HY3015P
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STD150N3LL
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FDD8896
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KND2803A（ TO-252封装）官网产品产品
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KIA2803A是30V 150A N沟道大电流mos管，采用沟槽工艺，
实现极低导通内阻，有效降低整机发热损耗。
客户痛点解决：
?大电流工况器件发热严重，内阻高功耗大
?进口物料交期长、涨价，需要pin?to?pin国产替换
?电机、锂电电源需要高雪崩可靠性MOSFET
?需要高结温耐受，适应严苛温度环境
应用领域：
直流电机驱动、锂电池保护板、大功率DC?DC电源、
伺服电源、车载电源、工业大功率开关电源。
提供TO-220、TO-263两种封装，原厂现货供应，
可提供规格书、技术支持，支持pin-to-pin直接替代。
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