KND3203B TO-252 封装 30V100A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低导通内阻大电流 MOSFET，国产兼容替代，适合锂电保护板电机驱动
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锂电保护板 MOS管，电机驱动 MOSFET，国产 MOS 管替代
KND3203B规格书
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KND3203B（ TO-252封装）产品基础信息
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产品型号
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KND3203B
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封装
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TO-252
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沟道类型
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N-CHANNEL MOSFET
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Vds耐压
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30V
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连续漏极电流
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100A(硅极限25℃)
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品牌
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KIA
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KND3203B（ TO-252封装）引脚定义
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Pin1
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Gate(栅极)
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Pin2
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Drain(漏极)
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Pin3
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Source(源极)
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KND3203B（ TO-252封装）主要特性 Features
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RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V
CRM(CQ)先进沟槽MOS工艺
极低导通电阻RDS(on)
优异Qg×Rds(on) FOM品质因数
符合JEDEC标准认证
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KND3203B（ TO-252封装）应用场景 Applications
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电机控制与驱动
电池管理系统BMS
UPS不间断电源
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KND3203B（ TO-252封装）最大绝对额定值(Ta=25℃)
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参数
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符号
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额定值
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单位
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漏源电压
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VDS
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30
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V
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连续漏极电流Tc=25℃硅极限
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ID
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100
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A
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连续漏极电流Tc=25℃封装极限
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ID
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80
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A
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连续漏极电流Tc=100℃硅极限
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ID
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72
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A
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脉冲漏极电流
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IDP
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320
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A
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单脉冲雪崩能量
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EAS
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256
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mJ
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栅源电压
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VGS
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±20
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V
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功耗(Tc=25℃)
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Ptot
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101
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W
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结温&存储温度
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TJ,TSTG
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?55~150
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℃
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KND3203B（ TO-252封装）热特性
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参数
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符号
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最大值
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单位
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结-环境热阻
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RθJA
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105
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℃/W
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结?外壳热阻
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RθJC
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1.24
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℃/W
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KND3203B（ TO-252封装）电气参数(Ta=25℃)
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参数
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符号
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条件
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规格
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漏源击穿电压
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BVDSS
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VGS=0V,IDS=250μA
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30V
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栅极阈值电压
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VGS(th)
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VDS=VGS,ID=250μA
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1.3~2.3V(Typ1.8V)
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零栅压漏极电流
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IDSS
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VDS=30V,VGS=0V
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≤1μA
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栅源漏电流
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IGSS
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VGS=20V,VDS=0V
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≤100nA
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漏源导通电阻
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RDS(on)
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VGS=10V,ID=24A
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3.1~4.0mΩ
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正向跨导
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gfs
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VDS=5V,ID=30A
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Typ73S
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输入电容
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Ciss
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VDS=30V,f=1MHz
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Typ2340pF
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输出电容
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Coss
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VDS=30V,f=1MHz
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Typ460pF
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反向转移电容
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Crss
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VDS=30V,f=1MHz
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Typ305pF
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开启延迟时间
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td(on)
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VDD=15V,ID=30A
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Typ11nS
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上升时间
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tr
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VDD=15V,ID=30A
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Typ102nS
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关断延迟时间
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td(off)
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VDD=15V,ID=30A
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Typ34nS
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下降时间
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tf
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VDD=15V,ID=30A
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Typ95nS
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总栅极电荷Qg
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Qg
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VDS=15V,ID=30A
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Typ50nC
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栅源电荷Qgs
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Qgs
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VDS=15V,ID=30A
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Typ9.5nC
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栅漏电荷Qgd
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Qgd
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VDS=15V,ID=30A
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Typ13.2nC
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栅极内阻Rg
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Rg
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f=1MHz
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Typ1.4Ω
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体二极管正向电压
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VSD
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ISD=20A
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≤1.3V
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体二极管反向恢复时间
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trr
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IF=30A
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Typ21nS
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体二极管反向恢复电荷
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Qrr
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di/dt=100A/μs
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Typ12nC
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KND3203B（ TO-252封装）官网产品介绍
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KND3203B TO-252 N沟道MOS管，30V/100A大电流规格。
采用CRM(CQ)先进沟槽工艺，Rds(on)低至3.1mΩ，导通损耗大幅降低。
优异FOM品质因数，开关性能出众，降低整机发热。
JEDEC标准认证，可靠性高，适配电机驱动、BMS电池管理、UPS电源。
TO-252贴片封装，便于SMT贴装，节省PCB空间，国产高性价比选型。
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KND3203B（ TO-252封装）平替替代型号清单
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
