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产品基础信息
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产品型号
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KNP2803A
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封装
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TO-220
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沟道类型
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N-CHANNEL MOSFET
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品牌
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KIA SEMICONDUCTORS
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产品简述
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沟槽工艺，极低导通电阻，开关速度快，雪崩耐受，电机及多类电源应用
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核心特点
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低Rds(on)、高速开关、100%雪崩测试、重复雪崩耐受、无铅RoHS合规
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绝对最大额定值(Tc=25℃)
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漏源电压 VDSS
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30V
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栅源电压 VGSS
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±20V
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连续漏极电流 ID
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150A(VGS=10V)
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脉冲漏极电流 IDM
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600A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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625mJ
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耗散功率 PD
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160W
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结温 TJ
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150℃
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存储温度 TSTG
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?50℃ ~ +150℃
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体二极管连续正向电流 IS
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150A
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热特性参数(Tc=25℃)
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结到外壳热阻 RθJC
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0.93℃/W
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电气特性(Tc=25℃)
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漏源击穿电压 BVDSS
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30V(VGS=0V,ID=250μA)
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漏源漏电流 IDSS
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1μA Max(VDS=24V,VGS=0V)
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栅极漏电流 IGSS
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±100nA Max(VGS=±20V,VDS=0V)
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栅极阈值电压 VGS(th)
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0.8~2.0V(Typ:1.3V)
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导通电阻 Rds(on)@VGS=10V
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2.2mΩ(Typ)/3.0mΩ(Max)@ID=40A
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导通电阻 Rds(on)@VGS=4.5V
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2.8mΩ(Typ)/4.0mΩ(Max)@ID=40A
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输入电容 Ciss
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5350pF Typ(VDS=15V,f=1.0MHz)
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输出电容 Coss
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715pF Typ(VDS=15V,f=1.0MHz)
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反向传输电容 Crss
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605pF Typ(VDS=15V,f=1.0MHz)
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总栅极电荷 Qg
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110nC Typ(VDS=15V,ID=20A)
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栅源电荷 Qgs
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35nC Typ(VDS=15V,ID=20A)
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栅漏米勒电荷 Qgd
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14nC Typ(VDS=15V,ID=20A)
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开通延迟时间 Td(on)
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19nS Typ
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上升时间 trise
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50nS Typ
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关断延迟时间 Td(off)
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20nS Typ
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下降时间 tfall
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26nS Typ
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体二极管正向电压 VSD
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1.3V Max@ISD=20A
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反向恢复时间 trr
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32ns Typ
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反向恢复电荷 Qrr
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33nC Typ
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同系列订购型号
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KNY2803A
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DFN5*6
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KND2803A
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TO-252
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KNP2803A
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TO-220
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应用场景
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主要应用
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电机驱动、锂电池保护板、DC?DC电源、车载电源、大电流开关电源
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平替替代型号清单
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可直接平替型号
(竖排)
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IRF3205
IRFB3207
FDP8870
NCEP85T30
NCE60H15
SM4040
AP30P15
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官网产品营销介绍
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产品亮点
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KNP2803A为30V/150A N沟道MOSFET，TO?220封装，沟槽工艺实现极低导通电阻，降低导通损耗，具备高速开关特性，通过100%雪崩测试，抗冲击能力强，结温可达150℃，适合大电流电机、电源类产品，多封装版本可选，满足不同PCB布局需求，无铅RoHS合规，供货稳定，可直接兼容多款主流器件替换。
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选型提示
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该器件适合大电流低压场景，注意散热设计，依据实际工作电流配置散热器；可根据PCB空间选择DFN5*6 / TO?252 / TO?220不同封装版本。
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