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KNY2803A DFN5*6 N沟道MOS管产品简介
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产品型号
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KNY2803A
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封装
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DFN5*6
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品牌
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KIA
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产品描述
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沟槽工艺，极低导通电阻，150℃结温，高速开关，100%雪崩测试，适用于电机及多类电源应用
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产品特性
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Rds(on)典型2.2mΩ@VGS=10V；高速开关；100%雪崩测试；可重复雪崩；无铅RoHS合规
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引脚定义
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引脚4
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Gate栅极
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引脚5,6,7,8
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Drain漏极
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引脚1,2,3
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Source源极
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同系列料号
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KND2803A
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TO-252
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KNP2803A
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TO-220
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最大绝对额定值(Tc=25℃)
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Vdss漏源电压
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30V
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Vgs栅源电压
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±20V
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Id连续漏极电流
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150A(VGS=10V,Tc=25℃)
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Idm脉冲漏极电流
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600A
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EAS单脉冲雪崩能量
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625mJ
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Pd功耗
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50W
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Tj最大结温
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150℃
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Tstg存储温度
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-50℃ ~ +150℃
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Is二极管连续正向电流
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150A
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热特性
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Rθjc结到外壳热阻
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3.0 ℃/W
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电气参数(Tc=25℃)
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BVdss漏源击穿电压
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30V(VGS=0V,Id=250μA)
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Idss漏源漏电流
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Max 1μA(VDS=24V,VGS=0V)
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Igss栅极漏电流
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±100nA Max(VGS=±20V,VDS=0V)
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Vgs(th)栅极阈值电压
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0.8~2.0V(Typ1.3V,Id=250μA)
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Rds(on)@VGS=10V,Id=40A
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Typ2.2mΩ Max3.0mΩ
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Rds(on)@VGS=4.5V,Id=40A
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Typ2.8mΩ Max4.0mΩ
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Ciss输入电容
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Typ5350pF(VDS=15V,f=1MHz)
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Coss输出电容
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Typ715pF(VDS=15V,f=1MHz)
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Crss反向传输电容
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Typ605pF(VDS=15V,f=1MHz)
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Qg总栅电荷
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Typ110nC(VDS=15V,Id=20A,VGS=4.5V)
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Qgs栅源电荷
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Typ35nC(VDS=15V,Id=20A,VGS=4.5V)
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Qgd栅漏米勒电荷
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Typ14nC(VDS=15V,Id=20A,VGS=4.5V)
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ton开通延迟时间
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Typ19nS(VDD=15V,Id=10A,VGS=4.5V,RG=6.8Ω)
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tr上升时间
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Typ50nS(VDD=15V,Id=10A,VGS=4.5V,RG=6.8Ω)
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toff关断延迟时间
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Typ20nS(VDD=15V,Id=10A,VGS=4.5V,RG=6.8Ω)
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tf下降时间
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Typ26nS(VDD=15V,Id=10A,VGS=4.5V,RG=6.8Ω)
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Vsd体二极管正向电压
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Typ1.3V(VGS=0V,Isd=20A)
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trr反向恢复时间
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Typ32ns(Isd=30A,di/dt=100A/μs)
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Qrr反向恢复电荷
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Typ33nC(Isd=30A,di/dt=100A/μs)
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平替替代型号清单
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N沟道30V150A DFN5*6 mos管
低内阻大电流DFN5*6 mos管
兼容IRL3803S
AOD609
NCE60H15
SM4045NSU
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官网产品营销推广
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KNY2803A为DFN5*6贴片N沟道mos管，30V150A，极低导通电阻，
100%雪崩测试，150℃高结温，高速开关性能优异。
贴片小封装节省PCB板空间，散热表现优秀。
适合电机驱动、锂电池保护板、DC-DC电源、大电流开关电源。
解决大电流发热、器件易击穿、占板面积大等客户痛点，现货可替代。
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