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3650现货供应商 KIA3650 60A/500V PDF文件 3650参数详细资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-02-07 

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KCM3650参数

高电压MOSFET采用先进的终止方案,提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外,这种先进的MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。高电压设计,高速开关电源,转换器和PWM电机控制中的应用程序,这些设备特别适用于桥式电路,二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。


KCM3650特征

强大的高压终止

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管

二极管的特点是用于桥式电路

IDSS和VDS(上)指定高温

隔离安装孔减少安装硬件


KCM3650参数指标

产品型号:KIA3650

工作方式:60A/500V

漏源电压:500V

栅源电压:±20V

漏电流连续:60A

脉冲漏极电流:180A

雪崩能量:1280mJ

耗散功率:54W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:500V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:3180 PF

输出电容:4400 PF

上升时间:52 ns

封装形式:TO-220F、TO-247



KCM3650(60A 500V
产品编号 KCM3650A
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺

高电压MOSFET采用先进的终止方案,提供增强的电压。不随时间降低性能的阻塞能力。此外,这种先进的MOSFET设计能够承受高能量的雪崩和减刑模式。新的节能设计还提供了一个快速恢复时间二极管源漏。高电压设计,高速开关电源,转换器和PWM电机控制中的应用程序。

产品特征

强大的高压终止

雪崩能量

源漏二极管恢复时间相当于分立快恢复二极管

二极管的特点是用于桥式电路

IDSS和VDS(上)指定高温

隔离安装孔减少安装硬件

适用范围 主要适用于桥式电路,二极管速度和换向安全操作区域。关键和提供额外的和安全边际对意外电压瞬变。
封装形式 TO-220F、TO-247
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LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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