KNF4665参数指标

功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。

KNF4665特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低栅极电荷（典型的25nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力

KNF4665参数

产品型号：KNF4665

工作方式：7A/650V

漏源电压：650V

栅源电压：±30V

漏电流连续：7.5A

脉冲漏极电流：30A

雪崩能量：21mJ

耗散功率：147W

热电阻：62.5℃/W

漏源击穿电压：650V

温度系数：0.65V/℃

栅极阈值电压：2.0V

输入电容：970 PF

输出电容:40 PF

上升时间：21 ns

封装形式：TO-220、TO-220F

	KNF4665
产品编号	KNF4665（7A 650V）
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
产品特征	7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V 低栅极电荷（典型的25nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dv / dt的能力
适用范围	主要适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
封装形式	TO-220、TO-220F
PDF文件	【直接在线预览】
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厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
PDF页总数	总6页