深圳市可易亚半导体科技有限公司

国家高新企业

cn en

新闻中心

4665现货供应商 KNF4665 7A/650V PDF文件 4665参数详细资料-KIA 官网

信息来源:本站 日期:2018-02-07 

分享到:

KNF4665参数指标

功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。


KNF4665特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低栅极电荷(典型的25nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力


KNF4665参数

产品型号:KNF4665

工作方式:7A/650V

漏源电压:650V

栅源电压:±30V

漏电流连续:7.5A

脉冲漏极电流:30A

雪崩能量:21mJ

耗散功率:147W

热电阻:62.5℃/W

漏源击穿电压:650V

温度系数:0.65V/℃

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:970 PF

输出电容:40 PF

上升时间:21 ns

封装形式:TO-220、TO-220F



KNF4665
产品编号 KNF4665(7A 650V
FET极性 N沟道MOSFET
产品工艺 功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这种先进的技术已特别定制,以尽量减少对国家的阻力,提供优越的开关性能,在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
产品特征

7.5A, 650V, RDS(on) typ. = 1.1Ω@VGS= 10 V

低栅极电荷(典型的25nc)

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dv / dt的能力

适用范围 主要适合于高效率开关电源,有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
封装形式 TO-220、TO-220F
PDF文件 【直接在线预览】
LOGO
厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
PDF页总数 总6页

联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

手机:18123972950

QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”


长按二维码识别关注