KNG3404D DFN3*3 40V80A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
DFN3*3 小体积 MOS 管 低内阻高雪崩耐受
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低内阻 MOS管，国产 MOS管，电源管理 MOS管
KNG3404D规格书
KNG3404D DFN3*3 N沟道MOS管
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产品基础信息
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产品型号
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KNG3404D
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封装
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DFN3*3
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产品类型
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N-CHANNEL MOSFET
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品牌
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KIA
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规格
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40V，80A
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产品简介
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KNG3404D为N沟道功率MOS管，超低导通内阻，低Crss，开关速度快。100%雪崩测试，dv/dt能力提升，适配PWM、电源管理、负载开关。
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产品核心特性
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Rds(on)典型4.4mΩ@VGS=10V
极低导通电阻Rds(on)
低反向传输电容Crss
速开关特性
100%雪崩测试验证
增强dv/dt耐受能力
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引脚定义（DFN3*3）
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引脚1
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Gate（栅极）
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引脚2
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Drain（漏极）
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引脚3
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Source（源极）
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最大绝对额定值（Tc=25℃）
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漏源电压 VDS
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40V
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连续漏极电流Id(Tc=25℃)
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80A
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连续漏极电流Id(Tc=100℃)
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52A
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脉冲漏极电流 IDM
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320A
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栅源电压 VGS
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±20V
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单脉冲雪崩能量 EAS
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104mJ
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总功耗 PD(Tc=25℃)
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77W
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结温与存储温度
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-55℃ ~ 150℃
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焊接最高引线温度TL
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300℃（5秒）
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热学参数
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结到外壳热阻 RθJC
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1.95 ℃/W
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电气特性(Tc=25℃)
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漏源击穿电压 BVDSS
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40V，ID=250uA
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漏源漏电流 IDSS(VDS=40V,VGS=0V)
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最大1uA@25℃，10uA@125℃
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栅源漏电流 IGSS
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±100nA
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栅极阈值电压 VGS(th)
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1.0~2.5V，典型1.5V
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RDS(ON)@VGS=10V,ID=30A
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典型4.4mΩ，最大5.5mΩ
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RDS(ON)@VGS=4.5V,ID=20A
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典型6.5mΩ，最大10mΩ
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输入电容 Ciss(VDS=20V,f=1MHz)
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3045pF
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输出电容 Coss(VDS=20V,f=1MHz)
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388pF
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反向传输电容 Crss(VDS=20V,f=1MHz)
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234pF
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开通延迟时间 Td(on)
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6ns
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上升时间 Tr
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17ns
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关断延迟时间 Td(off)
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23ns
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下降时间 Tf
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12ns
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总栅电荷Qg(VGS=10V,VDS=20V,ID=30A)
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58nC
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栅源电荷 Qgs
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10nC
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栅漏电荷 Qgd
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9nC
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连续源极电流 Is
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80A
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脉冲源极电流 IsM
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320A
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二极管正向电压 VSD(Is=30A)
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1.2V
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反向恢复时间 trr
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22ns
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反向恢复电荷 Qrr
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11nC
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平替替代型号清单
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NCE4080D
HY1804D
AON7406
IRLHM6401
FDN3696
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产品营销推广文案
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KNG3404D DFN3*3 N沟道MOS管，40V80A大电流，
超低导通内阻，低Crss，开关速度快。
100%雪崩测试，dv/dt抗干扰能力强，
适合高密度小型化PCB方案，节省板上空间。
适配PWM电路、电源管理、负载开关等场景。
KIA国产原厂供货，现货稳定，可平替进口料，
解决小型电源发热、开关噪声、器件易损坏痛点。
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典型应用领域
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PWM控制电路、电源管理模块
负载开关、小型同步降压电源
便携设备电源、快充电源、电机控制
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