KND3404C TO-252 40V80A N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
低内阻 5mΩ 100% EAS 保障 同步降压 BMS 优选
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KND3404C规格书
KND3404C TO-252 N沟道MOS管
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KND3404C(TO-252封装)产品基础信息
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产品型号
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KND3404C
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封装
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TO-252
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产品类型
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N-CHANNEL MOSFET
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品牌
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KIA
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规格
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40V,80A
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KND3404C(TO-252封装)产品简介
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KND3404C为高密度沟槽N沟道MOS管,拥有优异导通电阻与栅极电荷,适用于同步降压转换器应用。
满足RoHS绿色产品要求,100%EAS保证,全功能可靠性认证。
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KND3404C(TO-252封装)产品核心特性
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Rds(on)典型5.0mΩ@VGS=10V
超低栅极电荷 100% EAS保证
绿色器件,符合RoHS
优异Cdv/dt抑制能力
先进高密度沟槽工艺
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KND3404C(TO-252封装)引脚定义(TO-252)
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引脚1
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Gate(栅极)
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引脚2
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Drain(漏极)
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引脚3
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Source(源极)
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KND3404C(TO-252封装)最大绝对额定值(TA=25℃)
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漏源电压 VDS
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40V
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栅源电压 VGS
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±20V
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连续漏极电流Id(Tc=25℃)
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80A
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连续漏极电流Id(Tc=100℃)
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58A
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脉冲漏极电流 IDM
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150A
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单脉冲雪崩能量 EAS
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110mJ
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雪崩电流 IAS
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47A
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总功耗 PD(Tc=25℃)
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52.1W
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结温与存储温度
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-55℃ ~ 150℃
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KND3404C(TO-252封装)热学参数
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结到环境热阻 RθJA
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62 ℃/W
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结到外壳热阻 RθJC
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2.4 ℃/W
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KND3404C(TO-252封装)电气特性(Tj=25℃)
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漏源击穿电压 BVDSS
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40V,ID=250uA
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BVDSS温度系数
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0.034 V/℃
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RDS(ON) TO-252@VGS=10V,ID=15A
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典型5.0mΩ,最大6.5mΩ
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RDS(ON) TO-252@VGS=4.5V,ID=12A
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典型6.5mΩ,最大9mΩ
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栅极阈值电压 VGS(th)
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1.0~2.5V
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VGS(th)温度系数
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-5.84 mV/℃
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漏源漏电流 IDSS(VDS=32V,VGS=0V)
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最大1uA@25℃,5uA@55℃
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栅源漏电流 IGSS
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±100nA
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正向跨导 gfs
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25S
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栅极电阻 Rg
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1.5Ω
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总栅电荷Qg(VGS=4.5V)
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28nC
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栅源电荷 Qgs
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7.8nC
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栅漏电荷 Qgd
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12.5nC
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开通延迟时间 Td(on)
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20ns
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上升时间 Tr
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11.5ns
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关断延迟时间 Td(off)
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84ns
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下降时间 Tf
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8.5ns
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输入电容 Ciss(VDS=15V)
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3330pF
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输出电容 Coss(VDS=15V)
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270pF
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反向传输电容 Crss(VDS=15V)
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200pF
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连续源极电流 Is
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80A
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脉冲源极电流 IsM
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150A
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二极管正向电压 VSD
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1V(Is=1A)
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KND3404C(TO-252封装)平替替代型号
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HY1804
NCE4080
IRLR7843
AOD408
FDD8896
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KND3404C(TO-252封装)产品介绍
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KND3404C TO-252 N沟道MOS管,40V80A大电流,
超低导通内阻,栅电荷小,开关损耗低。
100%雪崩能量EAS保障,抗冲击能力强,
抑制Cdv/dt,降低干扰,器件可靠性高。
适配同步降压电源、锂电池BMS保护板、
电机驱动、车载负载开关、UPS等方案。
国产KIA品牌,现货稳定,可直接平替进口料,
解决方案MOS发热、易击穿、交期长痛点。
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KND3404C(TO-252封装)典型应用领域
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同步降压转换器、锂电池BMS保护板
直流电机驱动、车载电源、UPS不间断电源
大功率负载开关、快充电源模块
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