KNP3106N TO-220 60V110A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
7mΩ 低内阻，100% 雪崩测试，国产平替现货
KNP3106N，KNP3106N TO-220，60V110A MOS管，UPS 电源 MOS管，
PFC 功率校正 MOS管，低内阻 MOS管，KIA MOS管
KNP3106N规格书
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项目
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参数详情
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产品型号
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KNP3106N
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产品类型
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N沟道MOSFET
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封装
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TO-220
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品牌
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KIA
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VDSS 漏源电压
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60V
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ID 连续漏极电流
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110A
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IDM 脉冲漏极电流
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440A
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VGSS 栅源电压
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±20V
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PD 功耗(Tc=25℃)
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108W
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TJ,TSTG 温区
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-55 ~ 150℃
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EAS 单脉冲雪崩能量
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653mJ
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IAS 雪崩电流
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40A
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EAR 重复雪崩能量
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391.8mJ
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RθJC 结到壳热阻
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0.65℃/W
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RθJA 结到环境热阻
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62℃/W
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RDS(ON)导通电阻
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7mΩ(典型)@VGS=10V
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VGS(TH)栅极阈值电压
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2.0~4.0V
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gfs正向跨导
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17S
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Ciss输入电容
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2600pF
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Coss输出电容
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480pF
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Crss反向传输电容
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1000pF
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Qg总栅电荷
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110nC
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Qgs栅源电荷
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11nC
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Qgd栅漏电荷
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50nC
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td(on)开通延迟时间
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50ns
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tr上升时间
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140ns
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td(off)关断延迟时间
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345ns
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tf下降时间
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210ns
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VSD二极管正向电压
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1.2V
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trr反向恢复时间
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100ns
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Qrr反向恢复电荷
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0.33uC
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IDSS漏源漏电流
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1uA
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IGSS栅源漏电流
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±100nA
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KNP3106N（TO-220 封装）引脚定义
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1-Gate 2-Drain 3-Source
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KNP3106N（TO-220 封装）产品特性
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? 7mΩ低导通电阻
? 全新平面工艺
? 开关速度快
? 100%雪崩测试
? 更强dv/dt能力
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KNP3106N（TO-220 封装）应用领域
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? SMPS开关电源
? UPS不间断电源
? PFC功率因数校正
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KNP3106N（TO-220 封装）平替替代型号清单
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IRF3106
IRF3206
FDP3106
NDP60N10
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KNP3106N（TO-220 封装）客户痛点&优势
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?低内阻，发热少损耗低
?国产原厂，交期稳定
?100%雪崩检测可靠性高
?可直接替代进口MOS管
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