KNM3206B TO-247 60V100A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
信息来源：本站 日期：2026-09-18
KNM3206B TO-247 60V100A N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻低发热，国产平替 IRFP3206，交期稳定
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KNM3206B规格书
| 项目 | 参数详情 |
|---|---|
| 产品型号 | KNM3206B（3206B） |
| 产品类型 | N-CHANNEL MOSFET N沟道mos管 |
| 封装 | TO-247 |
| 品牌 | KIA KMOS Semiconductor |
| 核心规格 | 60V，连续漏极电流100A |
| 工艺 | Advanced Planar 平面工艺 |
| Rds(on) | 典型7.4mΩ@VGS=10V |
| 特性亮点 |
散热封装，高密度低内阻芯片 无卤素，环氧UL94 V-0阻燃 |
| 应用场景 | 电机驱动、DC-DC转换器 |
| 引脚定义 | 1-Gate栅极，2-Drain漏极，3-Source源极 |
| 参数名称 | 符号 | 额定值 | 单位 |
|---|---|---|---|
| 漏源电压 | VDSS | 60 | V |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
| 连续漏极电流Tc=25℃ | ID | 100 | A |
| 连续漏极电流Tc=100℃ | ID | 71 | A |
| 脉冲漏极电流 | IDM | 500 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 1960 | mJ |
| 功耗Tc=25℃ | PD | 500 | W |
| 功耗Tc=100℃ | PD | 250 | W |
| 结温&存储温度 | TJ,TSTG | -55 ~ +175 | ℃ |
| 参数名称 | 符号 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|
| 结到环境热阻 | RθJA | 35 | 40 | ℃/W |
| 结到外壳热阻 | RθJC | 0.24 | 0.3 | ℃/W |
| 参数名称 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=250uA | 60 | - | - | V |
| 漏源击穿电压 | BVDSS | VGS=0V,ID=1mA | 60 | - | - | V |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0V | - | - | 1 | uA |
| 漏源漏电流 | IDSS | VDS=60V,VGS=0V,TJ=125℃ | - | - | 100 | uA |
| 栅源正向漏电流 | IGSS | VGS=±20V,VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| 栅极阈值电压 | VGS(TH) | VDS=VGS,ID=250uA | 1.1 | 1.6 | 2.1 | V |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=10V,ID=50A | - | 7.4 | 9.8 | mΩ |
| 漏源导通电阻 | RDS(on) | VGS=4.5V,ID=25A | - | 10 | 13.5 | mΩ |
| 栅极电阻 | RG | f=1MHz | - | 2 | - | Ω |
| 输入电容 | Ciss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 4820 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 1400 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=30V,VGS=0V,f=1MHz | - | 75 | - | pF |
| 总栅电荷 | Qg | VDS=30V,ID=50A,VGS=10V | - | 120 | - | nC |
| 栅源电荷 | Qgs | VDS=30V,ID=50A,VGS=10V | - | 18 | - | nC |
| 栅漏电荷 | Qgd | VDS=30V,ID=50A,VGS=10V | - | 32 | - | nC |
| 开通延迟时间 | td(on) | VGS=10V,VDD=30V,RGEN=2.7Ω,ID=50A | - | 16 | - | ns |
| 上升时间 | tr | VGS=10V,VDD=30V,RGEN=2.7Ω,ID=50A | - | 98 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | VGS=10V,VDD=30V,RGEN=2.7Ω,ID=50A | - | 85 | - | ns |
| 下降时间 | tf | VGS=10V,VDD=30V,RGEN=2.7Ω,ID=50A | - | 40 | - | ns |
| 体二极管连续电流 | IS | - | - | 100 | - | A |
| 二极管正向电压 | VSD | IS=50A,VGS=0V | - | 1.2 | - | V |
| 反向恢复电荷 | Qrr | IF=50A,di/dt=100A/us | - | 132 | - | nC |
| 反向恢复时间 | trr | IF=50A,di/dt=100A/us | - | 67 | - | ns |
| KNM3206B平替型号 |
|---|
|
IRF3206 IRF3206PBF FDP100N06 IPP100N06N SPP100N06 STW100N6 NTP100N06 |
| 卖点分类 | 营销文案 |
|---|---|
| 低内阻 | 典型7.4mΩ低导通电阻，降低导通损耗 |
| 大电流能力 | TO-247封装，持续100A大电流承载 |
| 散热优势 | TO-247大功率封装，散热性能优异 |
| 安全阻燃 | 环氧满足UL94 V-0阻燃等级，无卤素 |
| 应用适配 | 电机驱动、DC-DC电源方案优选mos管 |
| 品质稳定 | 平面工艺，高密度芯片设计，可靠性高 |
| 国产化替代 | 可直接替代进口同规格TO-247 mos管 |
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