KNB2906B TO-263 60V N 沟道 MOS管｜KIA-MOS管
低内阻大电流 TO-263 MOS 管，电源锂电保护专用器件
KNB2906B，TO-263MOS管，60VN 沟道 MOS管，
低内管，锂电保护 MOS管，KIA 半导体 MOS管
KNB2906B规格书
KNB2906B为KIA品牌130A/60V功率mos管，采用先进工艺，开关速度快、导通电阻低、栅电荷小，雪崩特性优异。
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基础订单信息
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型号
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KNB2906B
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封装
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TO-263
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品牌
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KIA
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类型
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N-CHANNEL MOSFET N沟道mos管
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同系列型号
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KNP2906B(TO-220)、KNH2906B(TO-3P)
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绝对最大额定参数（Tc=25℃）
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参数名称
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符号
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规格值
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单位
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漏源电压
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VDSS
|
60
|
V
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连续漏极电流(Tc=25℃)
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ID
|
130
|
A
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连续漏极电流(Tc=100℃)
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ID
|
91
|
A
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脉冲漏极电流
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IDM
|
580
|
A
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栅源电压
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VGSS
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±20
|
V
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单脉冲雪崩能量
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EAS
|
506
|
mJ
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重复雪崩能量
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EAR
|
50
|
mJ
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二极管恢复dv/dt
|
dv/dt
|
5
|
V/ns
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功耗(Tc=25℃)
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PD
|
195.3
|
W
|
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降额系数
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|
1.56
|
W/℃
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工作/存储温度
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TJ,TSTG
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-55 ~ +150
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℃
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引脚焊接最高温度
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TL
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300（5秒）
|
℃
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热学特性参数
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参数名称
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符号
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规格值
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单位
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结到壳热阻
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RθJC
|
0.64
|
℃/W
|
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结到环境热阻
|
RθJA
|
45
|
℃/W
|
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电气特性参数（TJ=25℃）
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参数名称
|
符号
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测试条件
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典型值
|
单位
|
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漏源击穿电压
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BVDSS
|
VGS=0V,ID=250uA
|
60
|
V
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击穿电压温度系数
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△BVDSS/△TJ
|
ID=250uA
|
0.05
|
V/℃
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零栅压漏电流
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IDSS
|
VDS=68V,VGS=0V
|
≤1
|
uA
|
|
栅体正向漏电流
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IGSSF
|
VGS=20V,VDS=0V
|
≤100
|
nA
|
|
栅体反向漏电流
|
IGSSR
|
VGS=-20V,VDS=0V
|
≤-100
|
nA
|
|
栅阈值电压
|
VGS(th)
|
VDS=VGS,ID=250uA
|
2~4
|
V
|
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漏源导通电阻
|
RDS(on)
|
VGS=10V,ID=30A
|
4.6(typ)
|
mΩ
|
|
正向跨导
|
gFS
|
VDS=5V,ID=30A
|
64
|
S
|
|
输入电容
|
Ciss
|
VDS=34V,VGS=0V,f=1MHz
|
6564
|
pF
|
|
输出电容
|
Coss
|
VDS=34V,VGS=0V,f=1MHz
|
553
|
pF
|
|
反向传输电容
|
Crss
|
VDS=34V,VGS=0V,f=1MHz
|
396
|
pF
|
|
开通延迟时间
|
td(on)
|
VDS=34V,ID=30A,RG=4.7Ω
|
35
|
ns
|
|
上升时间
|
tr
|
VDS=34V,ID=30A,RG=4.7Ω
|
78
|
ns
|
|
关断延迟时间
|
td(off)
|
VDS=34V,ID=30A,RG=4.7Ω
|
135
|
ns
|
|
下降时间
|
tf
|
VDS=34V,ID=30A,RG=4.7Ω
|
60
|
ns
|
|
总栅电荷
|
Qg
|
VDS=54V,ID=30A,VGS=10V
|
148
|
nC
|
|
栅源电荷
|
Qgs
|
VDS=54V,ID=30A,VGS=10V
|
32
|
nC
|
|
栅漏电荷
|
Qgd
|
VDS=54V,ID=30A,VGS=10V
|
53
|
nC
|
|
栅极电阻
|
Rg
|
VDS=0V，扫描频率模式
|
3.2
|
Ω
|
|
体二极管连续正向电流
|
IS
|
|
145
|
A
|
|
体二极管脉冲正向电流
|
ISM
|
|
580
|
A
|
|
体二极管正向压降
|
VSD
|
VGS=0V,IS=45A
|
1.4
|
V
|
|
反向恢复时间
|
trr
|
VGS=0V,IS=30A,di/dt=100A/us
|
42
|
ns
|
|
反向恢复电荷
|
Qrr
|
VGS=0V,IS=30A,di/dt=100A/us
|
64
|
nC
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产品特点
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-
Rds(on)典型4.6mΩ@VGS=10V
-
低栅电荷，典型值148nC
-
高鲁棒性，100%雪崩测试
-
优异dv/dt耐受能力
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引脚定义
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功能
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1
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Gate 栅极
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|
2
|
Drain 漏极
|
|
3
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Source 源极
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平替替代型号清单
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IRF3205
NTD130N06
IRL540N
FDP130N06
STP130N06
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产品营销说明
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KNB2906B TO-263贴片mos管，60V/130A大电流低内阻。
低导通损耗，雪崩可靠性高，适合锂电保护、同步整流。
国产KIA半导体，交期稳定，支持样品测试，BOM配单。
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联系方式：邹先生
座机：0755-83888366-8022
手机：18123972950（微信同号）
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QQ：2880195519（技术群，也可以加这个qq）
联系地址：深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902
