|
KNH2906B（产品简介｜KNH2906B（TO-3P）
|
|
产品概述
|
KNH2906B为KIA 2906B系列N沟道MOS管，TO-3P封装，耐压60V
，持续电流130A。低导通内阻，散热性能优秀，抗雪崩能力强，
适合大功率电源、逆变器、电机驱动场景，BOM替换简单，支持样品测试。
|
|
同系列型号
|
KNP2906B（TO-220）
KNB2906B（TO-263）
KNH2906B（TO-3P）
|
|
KNH2906B（TO-3P封装）最大额定参数 Absolute maximum ratings
|
|
漏源电压 VDSS
|
60V
|
|
连续漏极电流 ID（25℃）
|
130A
|
|
连续漏极电流 ID（100℃）
|
91A
|
|
脉冲漏极电流 IDM
|
580A
|
|
栅源电压 VGSS
|
±20V
|
|
单脉冲雪崩能量 EAS
|
506mJ
|
|
重复雪崩能量 EAR
|
50mJ
|
|
峰值二极管恢复 dv/dt
|
5V/ns
|
|
功耗 PD（25℃）
|
312.5W
|
|
降额系数
|
2.5W/℃
|
|
工作与存储温度
|
-55℃ ~ +150℃
|
|
引脚焊接最高温度（5秒）
|
300℃
|
|
KNH2906B（TO-3P封装）热特性 Thermal characteristics
|
|
结到壳热阻 RθJC
|
0.4℃/W
|
|
结到环境热阻 RθJA
|
35℃/W
|
|
KNH2906B（TO-3P封装）电气特性 Electrical characteristics（Tj=25℃）
|
|
漏源击穿电压 BVDSS
|
60V（Vgs=0V,Id=250uA）
|
|
击穿电压温度系数
|
0.05V/℃
|
|
零栅压漏电流 IDSS
|
最大1uA@Vds=68V,Vgs=0V
最大50uA@Vds=54V,Tj=125℃
|
|
栅体正向漏电流 IGSSF
|
最大100nA@Vgs=20V,Vds=0V
|
|
栅体反向漏电流 IGSSR
|
最大-100nA@Vgs=-20V,Vds=0V
|
|
栅阈值电压 VGS(th)
|
2V~4V（Vds=Vgs,Id=250uA）
|
|
导通电阻 RDS(on)
|
最大5.4mΩ@Vgs=10V,Id=30A,25℃
最大7.5mΩ@Vgs=10V,Id=30A,125℃
|
|
正向跨导 gFS
|
典型64S（Vds=5V,Id=30A）
|
|
输入电容 Ciss
|
典型6564pF
|
|
输出电容 Coss
|
典型553pF
|
|
反向传输电容 Crss
|
典型396pF
|
|
开通延迟时间 td(on)
|
典型35ns
|
|
上升时间 tr
|
典型78ns
|
|
关断延迟时间 td(off)
|
典型135ns
|
|
下降时间 tf
|
典型60ns
|
|
总栅电荷 Qg
|
典型148nC（Vds=54V,Id=30A,Vgs=10V）
|
|
栅源电荷 Qgs
|
典型32nC
|
|
栅漏电荷 Qgd
|
典型53nC
|
|
栅电阻 Rg
|
典型3.2Ω
|
|
体二极管连续正向电流 IS
|
145A
|
|
体二极管脉冲正向电流 ISM
|
580A
|
|
体二极管正向压降 VSD
|
最大1.4V@Vgs=0V,Is=45A
|
|
反向恢复时间 trr
|
典型42ns@Vgs=0V,Is=30A,di/dt=100A/us
|
|
反向恢复电荷 Qrr
|
典型64nC
|
|
KNH2906B（TO-3P封装）平替替代型号清单
|
|
可直接替代型号
|
IRFP2907
IRFP2907N
STW29NM60N
FDP2906
IPW60R045CP
|
|
KNH2906B（TO-3P封装）应用领域
|
|
适用场景
|
大功率逆变器
工业开关电源
锂电大功率保护板
电机驱动控制
DC-DC大功率变换
|
|
KNH2906B（TO-3P封装）产品优势（客户痛点解决）
|
|
核心卖点
|
?TO-3P封装散热强，结壳热阻低，大功率不易发烫
?低Rds(on)，导通损耗低，减少发热提升效率
?高雪崩耐量，感性负载冲击下可靠性高
?开关速度均衡，栅电荷低，降低开关损耗
?BOM替换方便，同参数多封装可选（TO220/TO263/TO3P）
?原厂现货，可提供样品测试验证
|
