KND4820参数指标
应用
CRT，电视/监视器
其他应用程序
特征
RDS（ON）= 260mΩ@ VGS = 10 V
专有的新平面技术
低栅电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
参数
产品型号：KND4820
工作方式：9.0A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±20V
漏电流连续：9.0A
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：670 PF
输出电容：78 PF
上升时间：5.8 ns
封装形式：TO-252、TO-220
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KND4820
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产品编号
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KND4820（9.0A 200V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品特征
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RDS（ON）= 260mΩ@ VGS = 10 V
专有的新平面技术
低栅电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
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适用范围
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主要适用于CRT，电视/监视器、其他应用程序
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封装形式
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TO-252、TO-220
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF页总数
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总6页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8029
手机：18123972950
QQ：2880195519
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