KNP2908D TO-220 电压电流 N 沟道 MOS管|KIA-MOS管
KNP2908D TO-220 封装 N 沟道 MOS 管 低内阻大电流开关管
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KNP2908D规格书
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KNP2908D (TO-220封装)产品基础信息
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产品型号
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KNP2908D
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封装
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TO-220
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器件类型
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N沟道MOS管
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品牌
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KIA可易亚半导体
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漏源电压Vds
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80V
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连续漏极电流Id
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130A(Tc=25℃)
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Rds(on)典型值
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4.8mΩ@VGS=10V
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KNP2908D (TO-220封装)同系列料号
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KNB2908D
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TO-263封装
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KNP2908D
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TO-220封装
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KNH2908D
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TO-3P封装
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KNP2908D (TO-220封装)最大额定参数(25℃)
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Vds漏源电压
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80V
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Vgs栅源电压
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±25V
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Id连续漏极电流
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130A(Tc=25℃)
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Id连续漏极电流
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95A(Tc=100℃)
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IdM脉冲漏极电流
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500A
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IAS雪崩电流
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30A
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EAS单脉冲雪崩能量
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900mJ
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Pd总耗散功率
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246W(Tc=25℃)
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Pd总耗散功率
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150W(Tc=100℃)
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结温/存储温度
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-55℃ ~ 175℃
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KNP2908D (TO-220封装)热学特性参数
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RθJC 结到壳热阻
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0.78℃/W Max
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RθJA 结到环境热阻
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62.5℃/W Max
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KNP2908D (TO-220封装)电学特性(TA=25℃)
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BVdss漏源击穿电压
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≥80V@VGS=0V,Id=250μA
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Idss漏源漏电流
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≤1μA@Vds=64V,Vgs=0V
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Idss高温漏源漏电流
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≤10μA@Vds=64V,Tj=125℃
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Igss栅源漏电流
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±100nA Max@Vgs=±25V
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Vgs(th)栅极阈值电压
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2~4V,典型3V
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Rds(on)导通电阻
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典型4.8mΩ,最大6mΩ
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Rg栅极电阻
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1.7Ω典型
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Qg总栅电荷
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110nC典型
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Qgs栅源电荷
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16nC典型
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Qgd栅漏电荷
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45nC典型
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td(on)开通延迟时间
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25ns典型
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tr上升时间
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16ns典型
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td(off)关断延迟时间
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40ns典型
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tf下降时间
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52ns典型
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Ciss输入电容
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4500pF典型
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Coss输出电容
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640pF典型
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Crss反向传输电容
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230pF典型
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Is连续源极电流
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130A
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Vsd源漏二极管正向电压
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1.3V典型@Is=130A
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trr反向恢复时间
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30ns典型
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Qrr反向恢复电荷
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52nC典型
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KNP2908D (TO-220封装)TO-220引脚定义
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引脚1
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Gate栅极
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引脚2
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Drain漏极
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引脚3
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Source源极
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KNP2908D (TO-220封装)产品特性
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低Rds(on),有效降低导通损耗
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高雪崩电流,抗浪涌冲击能力强
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无铅环保器件,符合RoHS标准
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KNP2908D (TO-220封装)应用场景
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功率开关应用
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硬开关高频电路
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UPS不间断电源
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KNP2908D (TO-220封装)平替替代型号清单
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IRF2908
FDP2908
NTP2908
STW2908
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KNP2908D (TO-220封装)营销卖点
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80V130A大电流,4.8mΩ低内阻发热小
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高雪崩耐量,抑制浪涌,不易炸管
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TO-220直插封装,散热安装便捷
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KIA原厂直供,现货充足,交期稳定
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KNP2908D (TO-220封装) 客户痛点解决
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解决大功率电源发热严重问题
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改善高频硬开关电路易损坏故障
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UPS设备浪涌冲击导致MOS管击穿
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国产替代进口,降低采购成本
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