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KNP2908D TO-220 电压电流 N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

信息来源:本站 日期:2026-09-24 

KNP2908D TO-220 电压电流 N 沟道 MOS管|KIA-MOS管

KNP2908D TO-220 封装 N 沟道 MOS 管 低内阻大电流开关管

KNP2908D

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KNP2908D规格书

KNP2908D规格书

KNP2908D (TO-220封装)产品基础信息
产品型号 KNP2908D
封装 TO-220
器件类型 N沟道MOS管
品牌 KIA可易亚半导体
漏源电压Vds 80V
连续漏极电流Id 130A(Tc=25℃)
Rds(on)典型值 4.8mΩ@VGS=10V
KNP2908D (TO-220封装)同系列料号
KNB2908D TO-263封装
KNP2908D TO-220封装
KNH2908D TO-3P封装
KNP2908D (TO-220封装)最大额定参数(25℃)
Vds漏源电压 80V
Vgs栅源电压 ±25V
Id连续漏极电流 130A(Tc=25℃)
Id连续漏极电流 95A(Tc=100℃)
IdM脉冲漏极电流 500A
IAS雪崩电流 30A
EAS单脉冲雪崩能量 900mJ
Pd总耗散功率 246W(Tc=25℃)
Pd总耗散功率 150W(Tc=100℃)
结温/存储温度 -55℃ ~ 175℃
KNP2908D (TO-220封装)热学特性参数
RθJC 结到壳热阻 0.78℃/W Max
RθJA 结到环境热阻 62.5℃/W Max
KNP2908D (TO-220封装)电学特性(TA=25℃)
BVdss漏源击穿电压 ≥80V@VGS=0V,Id=250μA
Idss漏源漏电流 ≤1μA@Vds=64V,Vgs=0V
Idss高温漏源漏电流 ≤10μA@Vds=64V,Tj=125℃
Igss栅源漏电流 ±100nA Max@Vgs=±25V
Vgs(th)栅极阈值电压 2~4V,典型3V
Rds(on)导通电阻 典型4.8mΩ,最大6mΩ
Rg栅极电阻 1.7Ω典型
Qg总栅电荷 110nC典型
Qgs栅源电荷 16nC典型
Qgd栅漏电荷 45nC典型
td(on)开通延迟时间 25ns典型
tr上升时间 16ns典型
td(off)关断延迟时间 40ns典型
tf下降时间 52ns典型
Ciss输入电容 4500pF典型
Coss输出电容 640pF典型
Crss反向传输电容 230pF典型
Is连续源极电流 130A
Vsd源漏二极管正向电压 1.3V典型@Is=130A
trr反向恢复时间 30ns典型
Qrr反向恢复电荷 52nC典型
KNP2908D (TO-220封装)TO-220引脚定义
引脚1 Gate栅极
引脚2 Drain漏极
引脚3 Source源极
KNP2908D (TO-220封装)产品特性
低Rds(on),有效降低导通损耗
高雪崩电流,抗浪涌冲击能力强
无铅环保器件,符合RoHS标准
KNP2908D (TO-220封装)应用场景
功率开关应用
硬开关高频电路
UPS不间断电源

KNP2908D (TO-220封装)平替替代型号清单

KNP2908D

IRF2908
FDP2908
NTP2908
STW2908
KNP2908D (TO-220封装)营销卖点
80V130A大电流,4.8mΩ低内阻发热小
高雪崩耐量,抑制浪涌,不易炸管
TO-220直插封装,散热安装便捷
KIA原厂直供,现货充足,交期稳定
KNP2908D (TO-220封装)     客户痛点解决
解决大功率电源发热严重问题
改善高频硬开关电路易损坏故障
UPS设备浪涌冲击导致MOS管击穿
国产替代进口,降低采购成本

联系方式:邹先生

座机:0755-83888366-8022

手机:18123972950(微信同号)

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KNP2908D

QQ:2880195519(技术群,也可以加这个qq)

联系地址:深圳市龙华区英泰科汇广场2栋1902




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